Izolyatsiya qilingan qatlamli eshik MOSFETlarini tanib olish

Izolyatsiya qatlami eshigi turi MOSFET taxallusMOSFET (keyingi o'rinlarda MOSFET deb yuritiladi), darvoza kuchlanishi va manba drenajining o'rtasida silikon dioksidning simi qobig'iga ega.

MOSFET hamN-kanal va P-kanal ikkita toifaga kiradi, lekin har bir toifa yaxshilanish va yorug'likni yo'qotishning ikkinchi turiga bo'linadi, shuning uchun jami to'rt tur mavjud:N-kanalni yaxshilash, P-kanalni yaxshilash, N-kanal yorug'ligini yo'qotish, P-kanal nurini yo'qotish turi. Lekin eshik manba kuchlanish nolga teng bo'lsa, drenaj oqimi ham quvur kengaytirilgan quvur nolga teng. Biroq, eshik manbai kuchlanishi nolga teng bo'lsa, drenaj oqimi nolga teng bo'lmasa, yorug'lik iste'mol qiladigan turdagi quvurlar toifasiga kiradi.
Kengaytirilgan MOSFET printsipi:

Darvoza manbasining o'rtasida ishlaganda kuchlanish ishlatilmaydi, drenaj manbai PN birikmasining o'rtasi teskari yo'nalishda bo'ladi, shuning uchun o'tkazuvchan kanal bo'lmaydi, hatto drenaj manbasining o'rtasi kuchlanish bilan bo'lsa ham, Supero'tkazuvchilar xandaq elektr yopiq, unga ko'ra ishlaydigan oqimga ega bo'lish mumkin emas. Darvoza manbasining o'rtasi va musbat yo'nalish kuchlanishi ma'lum bir qiymatga tushganda, drenaj manbasining o'rtasida o'tkazuvchan xavfsizlik kanali hosil bo'ladi, shuning uchun bu eshik manbai kuchlanishi tomonidan ishlab chiqarilgan Supero'tkazuvchilar xandaq VGS ochiq kuchlanish deb ataladi. darvoza manbai kuchlanishining o'rtasi qanchalik katta bo'lsa, o'tkazuvchan xandaq kengroq bo'ladi, bu esa o'z navbatida elektr energiyasining katta oqimini o'tkazadi.

Yorug'likni tarqatuvchi MOSFET printsipi:

Ishlayotganda, MOSFET takomillashtirilgan turidan farqli o'laroq, eshik manbasining o'rtasida kuchlanish ishlatilmaydi va drenaj manbasining o'rtasida o'tkazuvchan kanal mavjud, shuning uchun drenaj manbasining o'rtasiga faqat ijobiy kuchlanish qo'shiladi, bu drenaj oqimiga olib keladi. Bundan tashqari, kuchlanishning ijobiy yo'nalishining o'rtasida joylashgan eshik manbai, Supero'tkazuvchilar kanalning kengayishi, kuchlanishning teskari yo'nalishini qo'shing, o'tkazgich kanali qisqaradi, elektr oqimi orqali MOSFET solishtirishni yaxshilash bilan kichikroq bo'ladi, u o'tkazuvchi kanal ichidagi ma'lum miqdordagi hududlarning ijobiy va salbiy sonida ham bo'lishi mumkin.

MOSFET samaradorligi:

Birinchidan, MOSFETlar kattalashtirish uchun ishlatiladi. MOSFET kuchaytirgichining kirish qarshiligi juda yuqori bo'lgani uchun, filtr kondensatori elektrolitik kondansatkichlarni qo'llash kerak bo'lmasdan kichikroq bo'lishi mumkin.

Ikkinchidan, MOSFET juda yuqori kirish qarshiligi xarakterli impedans konvertatsiyasi uchun ayniqsa mos keladi. Odatda xarakterli impedans konvertatsiyasi uchun ko'p darajali kuchaytirgichning kirish bosqichida qo'llaniladi.

MOSFET sozlanishi rezistor sifatida ishlatilishi mumkin.

To'rtinchidan, MOSFET DC quvvat manbai sifatida qulay bo'lishi mumkin.

V. MOSFET kommutatsiya elementi sifatida ishlatilishi mumkin.