Kommutatsiya elementlari sifatida MOSFET va IGBT ko'pincha elektron sxemalarda paydo bo'ladi. Ular tashqi ko'rinish va xarakterli parametrlarda ham o'xshashdir. Ishonamanki, ko'p odamlar nima uchun ba'zi sxemalar MOSFET-dan foydalanishi kerak, boshqalari esa buni qilishlari kerak. IGBT?
Ularning orasidagi farq nima? Keyingisi,Olukeysavollaringizga javob beradi!
a nimaMOSFET?
MOSFET, to'liq xitoycha nomi - metall oksidli yarimo'tkazgichli maydon effektli tranzistor. Ushbu dala effektli tranzistorning eshigi izolyatsion qatlam bilan izolyatsiya qilinganligi sababli, u izolyatsiyalangan eshikli dala effektli tranzistor deb ham ataladi. MOSFETni ikki turga bo'lish mumkin: "kanal" (ishchi tashuvchi) qutblariga ko'ra "N-tipi" va "P-tipi", odatda N MOSFET va P MOSFET deb ham ataladi.
MOSFET-ning o'zi o'zining parazit diyotiga ega, u VDD haddan tashqari kuchlanishda MOSFET yonib ketishining oldini olish uchun ishlatiladi. Haddan tashqari kuchlanish MOSFETga zarar yetkazmasdan oldin, diyot avval teskari buziladi va katta oqimni erga yo'naltiradi va shu bilan MOSFETning yonib ketishining oldini oladi.
IGBT nima?
IGBT (Izolyatsiya qilingan eshik bipolyar tranzistor) tranzistor va MOSFETdan tashkil topgan aralash yarimo'tkazgichli qurilma.
IGBT sxemasi belgilari hali birlashtirilmagan. Sxematik diagrammani chizishda odatda triod va MOSFET belgilari olinadi. Ayni paytda siz sxematik diagrammada belgilangan modeldan IGBT yoki MOSFET ekanligini aniqlashingiz mumkin.
Shu bilan birga, IGBTda korpus diodi bor-yo'qligiga ham e'tibor berishingiz kerak. Agar rasmda belgilanmagan bo'lsa, bu uning mavjud emasligini anglatmaydi. Rasmiy ma'lumotlarda boshqacha ko'rsatilmagan bo'lsa, bu diyot mavjud. IGBT ichidagi korpus diodasi parazit emas, lekin IGBTning mo'rt teskari chidamli kuchlanishini himoya qilish uchun maxsus o'rnatilgan. U FWD (erkin aylanma diyot) deb ham ataladi.
Ikkalasining ichki tuzilishi boshqacha
MOSFETning uchta qutbi manba (S), drenaj (D) va eshik (G) dir.
IGBT ning uchta qutbi kollektor (C), emitent (E) va eshik (G) dir.
IGBT MOSFET drenajiga qo'shimcha qatlam qo'shish orqali qurilgan. Ularning ichki tuzilishi quyidagicha:
Ikkalasini qo'llash sohalari boshqacha
MOSFET va IGBT ning ichki tuzilmalari har xil bo'lib, bu ularning qo'llanilishi sohalarini belgilaydi.
MOSFET tuzilishi tufayli u odatda KA ga yetishi mumkin bo'lgan katta oqimga erishishi mumkin, ammo zaruriy kuchlanishga bardosh berish qobiliyati IGBT kabi kuchli emas. Uning asosiy qo'llash sohalari kommutatsiya quvvat manbalari, balastlar, yuqori chastotali induksion isitish, yuqori chastotali inverterli payvandlash mashinalari, aloqa quvvat manbalari va boshqa yuqori chastotali elektr ta'minoti sohalaridir.
IGBT juda ko'p quvvat, oqim va kuchlanish ishlab chiqarishi mumkin, ammo chastota juda yuqori emas. Hozirgi vaqtda IGBT ning qattiq almashtirish tezligi 100KHZ ga yetishi mumkin. IGBT payvandlash mashinalari, invertorlar, chastota konvertorlari, elektrokaplama elektrolitik quvvat manbalari, ultratovushli induksion isitish va boshqa sohalarda keng qo'llaniladi.
MOSFET va IGBT ning asosiy xususiyatlari
MOSFET yuqori kirish empedansi, tez almashtirish tezligi, yaxshi termal barqarorlik, kuchlanishni nazorat qilish oqimi va boshqalar xususiyatlariga ega. O'chirishda u kuchaytirgich, elektron kalit va boshqa maqsadlarda ishlatilishi mumkin.
Yangi turdagi elektron yarimo'tkazgichli qurilma sifatida IGBT yuqori kirish empedansi, past kuchlanishni nazorat qilish quvvati iste'moli, oddiy nazorat qilish davri, yuqori kuchlanish qarshiligi va katta oqim bardoshlik xususiyatlariga ega va turli elektron sxemalarda keng qo'llaniladi.
IGBT ning ideal ekvivalent sxemasi quyidagi rasmda ko'rsatilgan. IGBT aslida MOSFET va tranzistorning birikmasidir. MOSFET yuqori qarshilikning kamchiligiga ega, ammo IGBT bu kamchilikni bartaraf etadi. IGBT hali ham yuqori kuchlanishda past qarshilikka ega. .
Umuman olganda, MOSFET ning afzalligi shundaki, u yaxshi yuqori chastotali xususiyatlarga ega va yuzlab kHz va MGts gacha chastotada ishlay oladi. Kamchilik shundaki, yuqori kuchlanish va yuqori oqim sharoitida qarshilik katta va quvvat sarfi katta. IGBT past chastotali va yuqori quvvatli vaziyatlarda, kichik qarshilik va yuqori chidamli kuchlanish bilan yaxshi ishlaydi.
MOSFET yoki IGBT ni tanlang
Sxemada MOSFETni quvvat o'zgartirish trubkasi yoki IGBT sifatida tanlash kerakmi, muhandislar tez-tez duch keladigan savol. Agar tizimning kuchlanishi, oqimi va kommutatsiya quvvati kabi omillar hisobga olinsa, quyidagi fikrlarni umumlashtirish mumkin:
Odamlar tez-tez so'rashadi: "MOSFET yoki IGBT yaxshiroqmi?" Aslida ikkalasi o'rtasida yaxshi yoki yomon farq yo'q. Eng muhimi, uning haqiqiy qo'llanilishini ko'rishdir.
MOSFET va IGBT o'rtasidagi farq haqida hali ham savollaringiz bo'lsa, batafsil ma'lumot uchun Olukey bilan bog'lanishingiz mumkin.
Olukey asosan WINSOK o'rta va past kuchlanishli MOSFET mahsulotlarini tarqatadi. Mahsulotlar harbiy sanoat, LED / LCD haydovchi platalari, motorli haydovchi platalari, tez zaryadlash, elektron sigaretalar, LCD monitorlar, quvvat manbalari, kichik maishiy texnika, tibbiy mahsulotlar va Bluetooth mahsulotlarida keng qo'llaniladi. Elektron tarozilar, avtomobil elektronikasi, tarmoq mahsulotlari, maishiy texnika, kompyuterning tashqi qurilmalari va turli xil raqamli mahsulotlar.
Yuborilgan vaqt: 2023-yil 18-dekabr
