Bu qadoqlanganMOSFETpyroelektrik infraqizil sensori. To'rtburchaklar ramka sezgi oynasidir. G pin - tuproq terminali, D pin - ichki MOSFET drenaji va S pin - ichki MOSFET manbai. Sxemada G erga ulangan, D musbat quvvat manbaiga ulangan, infraqizil signallar derazadan, elektr signallari esa S dan chiqariladi.
Sud eshigi G
MOS drayveri asosan to'lqin shaklini shakllantirish va haydashni yaxshilash rolini o'ynaydi: Agar G signali to'lqin shakliMOSFETetarlicha tik emas, u kommutatsiya bosqichida katta miqdorda quvvat yo'qotilishiga olib keladi. Uning yon ta'siri kontaktlarning zanglashiga olib kirish samaradorligini pasaytirishdir. MOSFET kuchli isitmaga ega bo'ladi va issiqlikdan osonlikcha shikastlanadi. MOSFETGS o'rtasida ma'lum bir sig'im mavjud. , agar G signalini haydash qobiliyati etarli bo'lmasa, u to'lqin shaklining sakrash vaqtiga jiddiy ta'sir qiladi.
GS qutbini qisqa tutashuv qiling, multimetrning R×1 darajasini tanlang, qora sinov simini S qutbga va qizil sinov simini D qutbiga ulang. Qarshilik bir necha Ō dan o'n Ō dan ortiq bo'lishi kerak. Agar ma'lum bir pin va uning ikkita pinining qarshiligi cheksiz ekanligi aniqlansa va u sinov simlarini almashtirgandan keyin ham cheksiz bo'lib qolsa, bu pinning G qutb ekanligi tasdiqlanadi, chunki u boshqa ikkita pindan izolyatsiyalangan.
S manbasini aniqlang va D ni to'kib tashlang
Multimetrni R × 1k ga o'rnating va mos ravishda uchta pin orasidagi qarshilikni o'lchang. Qarshilikni ikki marta o'lchash uchun almashinish sinovi usulidan foydalaning. Qarshilik qiymati pastroq bo'lgan (odatda bir necha ming Ō dan o'n ming Ō dan ortiq) oldinga qarshilik. Bu vaqtda qora sinov simi S qutb, qizil sinov esa D qutbiga ulangan. Turli xil sinov sharoitlari tufayli o'lchangan RDS(on) qiymati qo'llanmada keltirilgan odatdagi qiymatdan yuqori.
HaqidaMOSFET
Transistor N-tipli kanalga ega, shuning uchun u N-kanal deb ataladiMOSFET, yokiNMOS. P-kanalli MOS (PMOS) FET ham mavjud bo'lib, u engil qo'shilgan N-tipli BACKGATE va P-tipli manba va drenajdan tashkil topgan PMOSFET.
N-tipli yoki P-tipli MOSFET-dan qat'i nazar, uning ishlash printsipi asosan bir xil. MOSFET kirish terminali eshigiga qo'llaniladigan kuchlanish orqali chiqish terminalining drenajidagi oqimni boshqaradi. MOSFET - kuchlanish bilan boshqariladigan qurilma. Darvozaga qo'llaniladigan kuchlanish orqali qurilmaning xususiyatlarini boshqaradi. Kommutatsiya uchun tranzistor ishlatilganda asosiy oqimdan kelib chiqadigan zaryadni saqlash effektiga olib kelmaydi. Shuning uchun, ilovalarni almashtirishda,MOSFETlartranzistorlarga qaraganda tezroq o'tish kerak.
FET shuningdek, o'z nomini uning kirishi (eshik deb ataladi) elektr maydonini izolyatsion qatlamga proyeksiya qilish orqali tranzistor orqali o'tadigan oqimga ta'sir qilishidan oladi. Aslida, bu izolyator orqali oqim o'tmaydi, shuning uchun FET trubasining GATE oqimi juda kichik.
Eng keng tarqalgan FET GATE ostida izolyator sifatida yupqa kremniy dioksid qatlamidan foydalanadi.
Ushbu turdagi tranzistor metall oksidi yarimo'tkazgichli (MOS) tranzistor yoki metall oksidi yarim o'tkazgichli maydon effektli tranzistor (MOSFET) deb ataladi. MOSFETlar kichikroq va tejamkorroq bo'lgani uchun ular ko'plab ilovalarda bipolyar tranzistorlarni almashtirdilar.
Yuborilgan vaqt: 2023 yil 10-noyabr
