Elektr ta'minoti davrlari yoki harakatlanish sohasidagi elektr ta'minoti sxemalari muqarrar ravishda qo'llaniladiMOSFETlar, ular ko'p turdagi va ko'p funktsiyalarga ega. Elektr ta'minoti yoki harakatlantiruvchi ilovalarni almashtirish uchun uning kommutatsiya funktsiyasidan foydalanish tabiiydir.
N-turi yoki P-turidan qat'i nazarMOSFET, printsip aslida bir xil, MOSFET drenaj oqimining chiqish tomonini tartibga solish uchun oqimning bog'lovchi uchining eshigiga qo'shiladi, MOSFET kuchlanish bilan boshqariladigan qurilma bo'lib, u eshikdagi eshikka qo'shilgan oqimga asoslangan. qurilmaning xususiyatlarini manipulyatsiya qilish, musbat zaryad saqlash ta'siridan kelib chiqqan asosiy oqim tufayli tranzistor kabi o'tishga moyil emas va shuning uchun kommutatsiya ilovasida MOSFET kommutatsiya tezligi tranzistorga qaraganda tezroq bo'lishi kerak. Kommutatsiya tezligi trioddan tezroq bo'lishi kerak.
MOSFETkichik oqimli isitish sabablari
1, muammoning sxemasi printsipi MOSFET ning kommutatsiya holatida emas, balki chiziqli ish holatida ishlashiga ruxsat berishdir. Bu ham MOSFET issiqligining sababidir. Agar N-MOS kommutatsiyasi, G-darajali ish kuchlanishi kommutatsiya quvvat manbaiga qaraganda bir necha V bo'lsa, to'liq yoqish va o'chirish uchun P-MOS aksincha bo'ladi. To'liq yoqilmagan va yo'qotish juda katta bo'lib, natijada chiqish quvvati yo'qoladi, ekvivalent sxema DC xarakterli empedansi kattaroq, yo'qotish kengayadi, shuning uchun U * I ham kengaytiriladi, tükenme issiqlikni ifodalaydi. Bu, shuningdek, eng ko'p oldini olish noto'g'ri dizayn dasturi nazorat qilish davri.
2, chastota juda yuqori, asosan, ba'zan mukammal hajmga juda ko'p intilish, natijada chastotani oshirish, MOSFET iste'molni kengaytirish bo'yicha, shuning uchun issiqlik ham oshdi.
3, etarli issiqlik istisno dizayn dasturini amalga oshirmadi, oqim juda yuqori, MOSFET bardoshlik oqimi qiymati, odatda yaxshi issiqlik istisno qilinishini saqlab turishi kerak. Shuning uchun, ID yuqori oqimdan pastroq, u ham jiddiyroq qizib ketishi mumkin, issiqlik qabul qiluvchiga yordam berish uchun etarli bo'lishi kerak.
4, MOSFET modelini tanlash to'g'ri emas, chiqish quvvati to'g'ri emas, MOSFET qarshiligi hisobga olinmaydi, natijada kommutatsiya xarakteristikasi empedansining kengayishi.
MOSFET kichik oqim isitish yanada jiddiy qanday hal qilish kerak?
1.MOSFET issiqlikni istisno qilish dizayn dasturini oling, ma'lum miqdordagi issiqlik moslamalariga yordam bering.
2.Issiqlikni istisno qiluvchi elim yopishtiring.
Yuborilgan vaqt: 2024 yil 11 iyul
