MOSFETlarkeng foydalaniladi. Endi ba'zi keng ko'lamli integral mikrosxemalar MOSFET ishlatiladi, asosiy funktsiyasi va BJT tranzistor, kommutatsiya va kuchaytirish hisoblanadi. Asosan BJT triodidan foydalanish mumkin bo'lgan joyda foydalanish mumkin va ba'zi joylarda ishlash trioddan yaxshiroq.
MOSFETni kuchaytirish
MOSFET va BJT triod, ikkala yarimo'tkazgich kuchaytirgich qurilmasi bo'lsa-da, lekin trioddan ko'ra ko'proq afzalliklarga ega, masalan, yuqori kirish qarshiligi, signal manbai deyarli oqim yo'q, bu kirish signalining barqarorligiga yordam beradi. Bu kirish bosqichi kuchaytirgichi sifatida ideal qurilma, shuningdek, past shovqin va yaxshi harorat barqarorligining afzalliklariga ega. Ko'pincha ovozni kuchaytirish davrlari uchun oldindan kuchaytirgich sifatida ishlatiladi. Biroq, kuchlanish bilan boshqariladigan oqim qurilmasi bo'lganligi sababli, drenaj oqimi darvoza manbai orasidagi kuchlanish bilan boshqariladi, past chastotali o'tkazuvchanlikning kuchaytirish koeffitsienti odatda katta emas, shuning uchun kuchaytirish qobiliyati yomon.
MOSFET ning kommutatsiya effekti
MOSFET elektron kalit sifatida ishlatiladi, faqat polion o'tkazuvchanligiga tayanadi, asosiy oqim va zaryadni saqlash effekti tufayli BJT triodi kabi yo'q, shuning uchun MOSFET ning kommutatsiya tezligi trioddan tezroq, kommutatsiya trubkasi sifatida ko'pincha yuqori chastotali yuqori oqim holatlari uchun ishlatiladi, masalan, ishning yuqori chastotali yuqori oqim holatida MOSFETda ishlatiladigan quvvat manbalarini almashtirish. BJT triod kalitlari bilan solishtirganda, MOSFET kalitlari kichikroq kuchlanish va oqimlarda ishlashi mumkin va kremniy gofretlarida integratsiya qilish osonroq, shuning uchun ular keng ko'lamli integral mikrosxemalarda keng qo'llaniladi.
Foydalanishda ehtiyot choralari qandayMOSFETlar?
MOSFETlar triodlardan ko'ra nozikroqdir va noto'g'ri foydalanish bilan osonlikcha zararlanishi mumkin, shuning uchun ularni ishlatishda alohida e'tibor berish kerak.
(1) Turli xil foydalanish holatlari uchun mos keladigan MOSFET turini tanlash kerak.
(2) MOSFETlar, ayniqsa, izolyatsiyalangan eshikli MOSFETlar, yuqori kirish empedansiga ega va eshik indüktansı zaryadi tufayli trubkaga shikast etkazmaslik uchun foydalanilmaganda har bir elektrodga qisqa tutashuvi kerak.
(3) MOSFET ulanishining eshik manbai kuchlanishini qaytarib bo'lmaydi, lekin ochiq tutashuv holatida saqlanishi mumkin.
(4) MOSFET ning yuqori kirish empedansini saqlab turish uchun trubka namlikdan himoyalangan va foydalanish muhitida quruq holda saqlanishi kerak.
(5) MOSFET bilan aloqada bo'lgan zaryadlangan narsalar (masalan, lehimli temir, sinov asboblari va boshqalar) trubkaga zarar bermaslik uchun erga ulanishi kerak. Ayniqsa, izolyatsiyalangan MOSFET eshigini payvandlashda, manba - eshikning ketma-ket payvandlash tartibiga ko'ra, quvvat o'chirilgandan keyin payvandlash yaxshidir. Lehimlash temirining quvvati 15 ~ 30 Vt ga to'g'ri keladi, payvandlash vaqti 10 soniyadan oshmasligi kerak.
(6) izolyatsiyalangan eshik MOSFET multimetr bilan sinovdan o'tkazilmaydi, faqat sinov qurilmasi bilan tekshirilishi mumkin va faqat testerga kirishdan keyin elektrodlarning qisqa tutashuv simlarini olib tashlash uchun. Chiqarilganda, eshikning oshib ketishiga yo'l qo'ymaslik uchun olib tashlashdan oldin elektrodlarni qisqa tutashuvi kerak.
(7) FoydalanishdaMOSFETlarsubstrat o'tkazgichlari bilan, taglik simlari to'g'ri ulanishi kerak.
Xabar vaqti: 23-aprel, 2024-yil
