Sxema dizaynerlari MOSFETlarni tanlashda bir savolni ko'rib chiqishlari kerak: P-kanal MOSFET yoki N-kanal MOSFETni tanlash kerakmi? Ishlab chiqaruvchi sifatida siz mahsulotlaringiz boshqa sotuvchilar bilan arzon narxlarda raqobatlashishini xohlashingiz kerak, shuningdek, takroriy taqqoslashlarni amalga oshirishingiz kerak. Xo'sh, qanday tanlash kerak? 20 yillik tajribaga ega MOSFET ishlab chiqaruvchisi OLUKEY siz bilan baham ko'rmoqchi.
Farq 1: o'tkazuvchanlik xususiyatlari
N-kanalli MOS ning xarakteristikalari shundaki, u Vgs ma'lum bir qiymatdan kattaroq bo'lganda yoqiladi. Eshik kuchlanishi 4V yoki 10V ga yetgan ekan, u manba tuproqli (past-end haydovchi) foydalanish uchun javob beradi. P-kanalli MOS xususiyatlariga kelsak, u Vgs ma'lum bir qiymatdan past bo'lganda yoqiladi, bu manba VCC (yuqori darajadagi haydovchi) ga ulangan holatlar uchun mos keladi.
Farq 2:MOSFETkommutatsiya yo'qolishi
N-kanalli MOS yoki P-kanalli MOS bo'ladimi, u yoqilgandan keyin qarshilik mavjud, shuning uchun oqim ushbu qarshilik uchun energiya sarflaydi. Iste'mol qilinadigan energiyaning bu qismi o'tkazuvchanlikni yo'qotish deb ataladi. Kichik qarshilikka ega MOSFETni tanlash o'tkazuvchanlikni yo'qotishni kamaytiradi va hozirgi kam quvvatli MOSFETlarning qarshiligi odatda o'nlab milliohm atrofida va bir necha milliohm ham mavjud. Bundan tashqari, MOS yoqilganda va o'chirilganda, u bir zumda tugallanmasligi kerak. Bunda pasayish jarayoni bor, oqayotgan oqim ham ortib borayotgan jarayonga ega.
Ushbu davrda MOSFETning yo'qolishi kuchlanish va oqimning mahsuloti bo'lib, kommutatsiya yo'qolishi deb ataladi. Odatda kommutatsiya yo'qotishlari o'tkazuvchanlik yo'qotishlaridan ancha katta bo'ladi va kommutatsiya chastotasi qanchalik yuqori bo'lsa, yo'qotishlar shunchalik katta bo'ladi. O'tkazilish momentidagi kuchlanish va oqimning mahsuloti juda katta va yuzaga kelgan yo'qotish ham juda katta, shuning uchun almashtirish vaqtini qisqartirish har bir o'tkazuvchanlik vaqtida yo'qotishni kamaytiradi; kommutatsiya chastotasini kamaytirish vaqt birligidagi kalitlar sonini kamaytirishi mumkin.
Uchinchi farq: MOSFET-dan foydalanish
P-kanal MOSFET ning teshik harakatchanligi past, shuning uchun MOSFETning geometrik o'lchami va ish kuchlanishining mutlaq qiymati teng bo'lganda, P-kanal MOSFETning o'tkazuvchanligi N-kanal MOSFETdan kichikroq. Bundan tashqari, P-kanal MOSFETning pol kuchlanishining mutlaq qiymati nisbatan yuqori bo'lib, yuqori ish kuchlanishini talab qiladi. P-kanal MOS katta mantiqiy tebranish, uzoq zaryadlash va zaryadlash jarayoni va kichik qurilma o'tkazuvchanligiga ega, shuning uchun uning ishlash tezligi pastroq. N-kanalli MOSFET paydo bo'lgandan so'ng, ularning ko'pchiligi N-kanalli MOSFET bilan almashtirildi. Biroq, P-kanalli MOSFET oddiy jarayonga ega va arzon bo'lganligi sababli, ba'zi o'rta va kichik o'lchamli raqamli boshqaruv sxemalari hali ham PMOS sxemasi texnologiyasidan foydalanadi.
Xo'sh, MOSFET qadoqlash ishlab chiqaruvchisi OLUKEY-dan bugungi baham ko'rish uchun hammasi. Qo'shimcha ma'lumot olish uchun bizni sahifada topishingiz mumkinOLUKEYrasmiy veb-sayti. OLUKEY 20 yil davomida MOSFET-ga e'tibor qaratdi va bosh qarorgohi Shenzhen, Guangdong viloyati, Xitoyda joylashgan. Asosan yuqori oqimli dala effektli tranzistorlar, yuqori quvvatli MOSFETlar, katta paketli MOSFETlar, kichik kuchlanishli MOSFETlar, kichik paketli MOSFETlar, kichik oqim MOSFETlar, MOS dala effektlari quvurlari, qadoqlangan MOSFETlar, quvvat MOS, MOSFET paketlari, original MOSFETlar, qadoqlangan MOSFETlar va boshqalar bilan shug'ullanadi. Asosiy agent mahsuloti WINSOK.
Yuborilgan vaqt: 2023 yil 17-dekabr
