Elektr avtomobil boshqaruvchilaridagi MOSFETlar

1, MOSFET ning elektr avtomobil boshqaruvchisidagi roli

Oddiy qilib aytganda, vosita chiqish oqimi bilan boshqariladiMOSFET, chiqish oqimi qanchalik yuqori bo'lsa (MOSFET yonib ketishining oldini olish uchun kontroller oqim chegarasi himoyasiga ega), vosita momenti qanchalik kuchli bo'lsa, tezlashuv shunchalik kuchli bo'ladi.

 

2, MOSFETning ish holatini boshqarish sxemasi

Ochiq jarayon, yoqilgan holat, o'chirilgan jarayon, kesish holati, buzilish holati.

MOSFET ning asosiy yo'qotishlariga kommutatsiya yo'qotishlari (yoqish va o'chirish jarayoni), o'tkazuvchanlik yo'qotishlari, kesish yo'qotishlari (oqish oqimi tufayli kelib chiqadigan, ahamiyatsiz), ko'chki energiya yo'qotishlari kiradi. Agar bu yo'qotishlar MOSFETning bardoshli chegarasida nazorat qilinsa, MOSFET to'g'ri ishlaydi, agar u bardoshli diapazondan oshib ketgan bo'lsa, shikastlanish yuzaga keladi.

Kommutatsiya yo'qolishi ko'pincha o'tkazuvchanlik holatini yo'qotishdan kattaroqdir, ayniqsa PWM to'liq ochilmagan, impuls kengligi modulyatsiyasi holatida (elektr avtomobilning tezlashuvining boshlang'ich holatiga mos keladi) va eng yuqori tezkor holat ko'pincha o'tkazuvchanlik yo'qotilishi hisoblanadi. hukmronlik qilgan.

3, asosiy sabablarMOSzarar

Haddan tashqari oqim, yuqori haroratning shikastlanishidan kelib chiqadigan yuqori oqim (uzatiladigan yuqori oqim va birlashma haroratidan kelib chiqqan lahzali yuqori oqim impulslari bardoshlik qiymatidan oshib ketadi); haddan tashqari kuchlanish, manba-drenaj darajasi buzilish kuchlanishidan va buzilishdan kattaroqdir; eshikning buzilishi, odatda, eshik kuchlanishining tashqi yoki haydovchi zanjiri tomonidan ruxsat etilgan maksimal kuchlanishdan ko'proq shikastlanganligi sababli (odatda eshik kuchlanishi 20v dan kam bo'lishi kerak), shuningdek, statik elektr shikastlanishi.

 

4, MOSFET almashtirish printsipi

MOSFET kuchlanish bilan boshqariladigan qurilma bo'lib, G eshigi va manba bosqichi S manba bosqichi S va D o'rtasida mos kuchlanishni berish uchun manba bosqichi o'rtasida o'tkazuvchanlik davri hosil qiladi. Ushbu oqim yo'lining qarshiligi MOSFET ichki qarshiligiga, ya'ni on-qarshilikka aylanadi. Ushbu ichki qarshilikning o'lchami, asosan, maksimal holatdagi oqimni aniqlaydiMOSFETchip bardosh bera oladi (albatta, boshqa omillar bilan ham bog'liq, eng muhimi termal qarshilik). Ichki qarshilik qanchalik kichik bo'lsa, oqim shunchalik katta bo'ladi.