Field Effect Transistor sifatida qisqartirilganMOSFET.Ikkita asosiy tur mavjud: birlashtiruvchi maydon effektli quvurlar va metall oksidli yarim o'tkazgichli maydon effektli quvurlar. MOSFET, shuningdek, o'tkazuvchanlikda ishtirok etadigan ko'pchilik tashuvchilarga ega bo'lgan unipolyar tranzistor sifatida ham tanilgan. Ular kuchlanish bilan boshqariladigan yarimo'tkazgichli qurilmalardir. Yuqori kirish qarshiligi, past shovqin, kam quvvat iste'moli va boshqa xususiyatlar tufayli uni bipolyar tranzistorlar va quvvat tranzistorlari uchun kuchli raqobatchi qiladi.
I. MOSFETning asosiy parametrlari
1, DC parametrlari
To'yingan drenaj oqimini eshik va manba orasidagi kuchlanish nolga teng bo'lganda va drenaj va manba o'rtasidagi kuchlanish chimchilash kuchlanishidan kattaroq bo'lganda mos keladigan drenaj oqimi sifatida aniqlanishi mumkin.
Chiqib ketish kuchlanishi UP: UDS aniq bo'lganda IDni kichik oqimga kamaytirish uchun zarur bo'lgan UGS;
Yoqish kuchlanishi UT: UDS aniq bo'lganda identifikatorni ma'lum bir qiymatga etkazish uchun UGS talab qilinadi.
2, AC parametrlari
Past chastotali o'tkazuvchanlik gm : Eshik va manba kuchlanishining drenaj oqimiga nazorat ta'sirini tavsiflaydi.
Qutblararo sig'im: MOSFET ning uchta elektrodlari orasidagi sig'im, qiymat qanchalik kichik bo'lsa, ishlash yaxshi bo'ladi.
3, Limit parametrlari
Drenaj, manba buzilishi kuchlanishi: drenaj oqimi keskin ko'tarilganda, UDS qachon ko'chki buzilishini keltirib chiqaradi.
Darvoza buzilishi kuchlanishi: birlashma maydoni effekti trubkasi normal ishlashi, teskari moyillik holatida PN birikmasi orasidagi eshik va manba, oqim buzilish hosil qilish uchun juda katta.
II. ning xususiyatlariMOSFETlar
MOSFET kuchaytiruvchi funktsiyaga ega va kuchaytirilgan kontaktlarning zanglashiga olib kelishi mumkin. Triod bilan solishtirganda, u quyidagi xususiyatlarga ega.
(1) MOSFET kuchlanish bilan boshqariladigan qurilma bo'lib, potentsial UGS tomonidan boshqariladi;
(2) MOSFET kirishidagi oqim juda kichik, shuning uchun uning kirish qarshiligi juda yuqori;
(3) Uning harorat barqarorligi yaxshi, chunki u o'tkazuvchanlik uchun ko'pchilik tashuvchilardan foydalanadi;
(4) uning kuchaytirish pallasida kuchlanishni kuchaytirish koeffitsienti triodnikidan kichikroq;
(5) Radiatsiyaga nisbatan ancha chidamli.
Uchinchidan,MOSFET va tranzistorlarni taqqoslash
(1) MOSFET manbai, darvoza, drenaj va triod manbai, tayanch, o'rnatish nuqtasi qutbi shunga o'xshash rolga mos keladi.
(2) MOSFET - kuchlanish bilan boshqariladigan oqim qurilmasi, kuchaytirish koeffitsienti kichik, kuchaytirish qobiliyati yomon; triod - oqim bilan boshqariladigan kuchlanish qurilmasi, kuchaytirish qobiliyati kuchli.
(3) MOSFET eshigi asosan oqimni qabul qilmaydi; va triod ishi, tayanch ma'lum bir oqimni o'zlashtiradi. Shuning uchun, MOSFET eshigining kirish qarshiligi triodning kirish qarshiligidan yuqori.
(4) MOSFETning o'tkazuvchanlik jarayonida politron ishtirok etadi va triodda ikki turdagi tashuvchilar, politron va oligotron ishtirok etadi va uning oligotron kontsentratsiyasi harorat, radiatsiya va boshqa omillarga katta ta'sir qiladi, shuning uchun MOSFET tranzistorga qaraganda yaxshiroq harorat barqarorligi va radiatsiya qarshiligiga ega. Atrof-muhit sharoitlari juda o'zgarganda MOSFET tanlanishi kerak.
(5) MOSFET manba metalliga va substratga ulanganda, manba va drenaj almashinuvi mumkin va xarakteristikalar unchalik o'zgarmaydi, tranzistorning kollektori va emitenti almashtirilganda xarakteristikalar boshqacha va b qiymati kamayadi.
(6) MOSFET shovqin ko'rsatkichi kichik.
(7) MOSFET va triod turli xil kuchaytirgich davrlari va kommutatsiya davrlaridan iborat bo'lishi mumkin, ammo birinchisi kamroq quvvat sarflaydi, yuqori termal barqarorlik, ta'minot kuchlanishining keng diapazoni, shuning uchun u keng miqyosli va ultra-katta elektr tarmoqlarida keng qo'llaniladi. masshtabli integral mikrosxemalar.
(8) Triodning qarshiligi katta va MOSFETning qarshiligi kichik, shuning uchun MOSFETlar odatda yuqori samaradorlikka ega kalit sifatida ishlatiladi.
Xabar vaqti: 2024 yil 16-may
