Yaxshi va yomon MOSFET o'rtasidagi farqni aniqlashning ikki yo'li mavjud:
Birinchisi: afzalliklari va kamchiliklarini sifat jihatidan ajratib ko'rsatishMOSFETlar
Avval multimetr R × 10kŌ blokidan (o'rnatilgan 9V yoki 15V qayta zaryadlanuvchi batareya), darvoza (G) ga ulangan salbiy qalam (qora), manbaga (S) ulangan musbat qalam (qizil) dan foydalaning. Darvozaga, o'rta batareya zaryadining manbai, keyinmultimetr igna engil egilishga ega. Keyin multimetr R × 1Ō blokiga o'ting,salbiy drenajga qalam (D), manba (S) ga ijobiy qalam, bir necha ohm ona bo'lsa multimetr etiketli qiymati, bu MOSFET yaxshi ekanligini ko'rsatadi.
Ikkinchisi: MOSFET ulanishining elektr darajasini sifat jihatidan hal qilishMultimetr R × 100 faylga teriladi, qizil qalam tasodifiy ravishda oyoq trubkasiga ulanadi, qora ruchka boshqa oyoq trubkasiga ulanadi, shunda uchinchi oyoq havoda osiladi. Agar ignaning engil chayqalishi borligini aniqlasangiz, darvoza uchun uchinchi oyoq ekanligi tasdiqlanadi. Haqiqiy ta'sirni yanada muhimroq kuzatish uchun, shuningdek, elektron tebranish yaqin yoki havo oyoqlariga osilgan barmoq teginish bilan, faqat ignani katta burilish uchun ko'rish uchun, ya'ni havo oyoqlarida osilgan eshik ekanligini ko'rsatadi. , qolgan ikki oyoq manba va drenaj edi.
Ajratish sabablari:
JFET ning kirish qarshiligi 100 MŌ dan oshadi va o'tkazuvchanlik juda yuqori bo'lsa, eshikning ichki makonidagi magnit maydoni eshikdagi ish kuchlanishining ma'lumotlar signalini magnit tarzda induktsiya qilish juda oson bo'lsa, quvur yuqoriga yoki moyil bo'ladi. yoqish-o'chirish. Agar tananing indüksiyon kuchlanishi darhol darvozaga qo'shilsa, chunki kalit elektromagnit parazit kuchli bo'lsa, yuqoridagi holat tobora muhimroq bo'ladi. katta og'ish chap metr igna bo'lsa, quvur nomidan, deb moyil bo'ladi, drenaj-manba qarshilik RDS kengaytirish, Drenaj-manba joriy miqdori kamayadi IDS. aksincha, quvur on-off, RDS ↓, IDS ↑ moyil ekanligini ko'rsatib, katta og'ish o'ng uchun metr igna. Biroq, burilish qaysi yo'nalishda oxirida metr igna, induktsiya kuchlanish ijobiy va salbiy qutblari (ish kuchlanishining ijobiy yo'nalishi yoki ish kuchlanishining teskari yo'nalishi) va po'lat quvurning ish nuqtasiga bog'liq bo'lishi kerak.
Ogohlantirishlar:
(1) Tajriba shuni ko'rsatadiki, ikkala qo'l D va S qutblaridan izolyatsiya qilingan va faqat darvozaga tegsa, igna odatda chapga buriladi. Biroq, agar ikkala qo'l D, S-qutbning har biriga tegsa va barmoqlar darvozaga tegsa, ignaning o'ngga burilishini kuzatish mumkin. Ildiz sababi MOSFET-dagi bir qator pozitsiyalar va rezistorlarning tanasi bo'lib, u to'yinganlik holatiga kirishi uchun mos yozuvlar nuqtasi ta'siriga ega.
Yuborilgan vaqt: 22-iyul-2024
