Ikkinchidan, tizim cheklovlarining hajmi
Ba'zi elektron tizimlar PCB va ichki o'lchamlari bilan cheklangan balandligi, saloqa tizimlari sifatida uch, balandligi cheklovlar tufayli modulli elektr ta'minoti odatda DFN5 * 6, DFN3 * 3 to'plami foydalaning; ba'zi ACDC quvvat manbalarida, ultra yupqa dizayndan foydalanish yoki qobiqning cheklovlari tufayli, balandlik cheklovlari ildiziga to'g'ridan-to'g'ri kiritilgan quvvat MOSFET oyoqlarining TO220 paketini yig'ish TO247 paketini ishlata olmaydi. Ba'zi ultra yupqa dizayn to'g'ridan-to'g'ri qurilma pinlarini tekis egib, bu dizayn ishlab chiqarish jarayoni murakkablashadi.
Uchinchidan, kompaniyaning ishlab chiqarish jarayoni
TO220 ikki xil paketga ega: yalang'och metall paket va to'liq plastik paket, yalang'och metall paket issiqlik qarshiligi kichik, issiqlik tarqalish qobiliyati kuchli, lekin ishlab chiqarish jarayonida siz izolyatsiyani tushirishni qo'shishingiz kerak, ishlab chiqarish jarayoni murakkab va qimmat, to'liq plastik paketning termal qarshiligi katta bo'lsa-da, issiqlik tarqalish qobiliyati zaif, lekin ishlab chiqarish jarayoni oddiy.
Vintlarni sun'iy ravishda qulflash jarayonini kamaytirish uchun so'nggi yillarda ba'zi elektron tizimlar quvvat uchun kliplardan foydalanadi.MOSFETlar issiqlik qabul qilgichda qisqich bilan mahkamlangan, shuning uchun an'anaviy TO220 qismining yuqori qismining paydo bo'lishi, yangi shakldagi teshiklarni olib tashlash, balki qurilmaning balandligini kamaytirish uchun.
To'rtinchidan, xarajatlarni nazorat qilish
Ish stoli anakartlari va platalar kabi juda qimmatga tushadigan ba'zi ilovalarda, odatda, bunday paketlarning arzonligi tufayli DPAK paketlaridagi quvvatli MOSFETlar qo'llaniladi. Shuning uchun, MOSFET quvvat paketini tanlashda, ularning kompaniyasining uslubi va mahsulot xususiyatlari bilan birlashtirilgan va yuqoridagi omillarni hisobga oling.
Beshinchidan, ko'p hollarda chidamli kuchlanish BVDSS ni tanlang, chunki kirish vo dizaynelektronning darajasi tizim nisbatan sobit, kompaniya ma'lum bir moddiy raqamni etkazib beruvchini tanladi, mahsulot nominal kuchlanishi ham o'rnatiladi.
Ma'lumotlar varag'idagi quvvat MOSFETlarining BVDSS buzilish kuchlanishi turli sharoitlarda turli qiymatlarga ega bo'lgan sinov shartlarini aniqladi va BVDSS ijobiy harorat koeffitsientiga ega, bu omillarning kombinatsiyasini amalda qo'llashda har tomonlama ko'rib chiqilishi kerak.
Ko'pgina ma'lumotlar va adabiyotlarda tez-tez eslatib o'tiladi: agar MOSFET VDS quvvat tizimi eng yuqori kuchlanishli bo'lsa, agar BVDSS dan katta bo'lsa, impuls kuchlanishining davomiyligi bir necha yoki o'nlab ns bo'lsa ham, MOSFET quvvati ko'chkiga kiradi. va shuning uchun zarar paydo bo'ladi.
Transistorlar va IGBT dan farqli o'laroq, quvvatli MOSFETlar ko'chkiga qarshi turish qobiliyatiga ega va ko'plab yirik yarimo'tkazgich kompaniyalari MOSFET ko'chki energiyasini ishlab chiqarish liniyasida to'liq tekshirish, 100% aniqlash, ya'ni ma'lumotlarda bu kafolatlangan o'lchov, ko'chki kuchlanishidir. odatda 1,2 ~ 1,3 marta BVDSS da sodir bo'ladi va vaqt davomiyligi odatda ms, hatto milodiy darajasi, keyin faqat bir necha yoki o'nlab ns davomiyligi, ko'chki kuchlanish boshoq puls kuchlanish ancha past bo'ladi zarar emas. quvvat MOSFET.
Olti, qo'zg'alish kuchlanishini tanlash VTH tomonidan
MOSFET quvvatining turli elektron tizimlari tanlangan haydovchi kuchlanishi bir xil emas, AC / DC quvvat manbai odatda 12V haydovchi kuchlanishidan foydalanadi, noutbukning anakarti DC / DC konvertori 5V kuchlanishli kuchlanishdan foydalanadi, shuning uchun boshqa chegara kuchlanishini tanlash uchun tizimning haydovchi kuchlanishiga ko'ra. VTH quvvatli MOSFETlar.
Ma'lumotlar varag'idagi MOSFET quvvatining VTH chegara kuchlanishi ham belgilangan sinov shartlariga ega va turli sharoitlarda turli qiymatlarga ega va VTH salbiy harorat koeffitsientiga ega. Har xil qo'zg'alish kuchlanishlari VGS turli xil qarshiliklarga mos keladi va amaliy dasturlarda haroratni hisobga olish muhimdir.
Amaliy qo'llanmalarda MOSFET quvvatining to'liq yoqilganligini ta'minlash uchun harorat o'zgarishini hisobga olish kerak, shu bilan birga o'chirish jarayonida G-qutbga ulangan spike pulslari noto'g'ri tetiklash orqali tetiklanmasligini ta'minlash kerak. to'g'ridan-to'g'ri yoki qisqa tutashuv hosil qiladi.
Xabar vaqti: 2024-yil 03-avgust
