MOSFET (metall oksidi yarimo'tkazgichli maydon effektli tranzistor) uchta qutbga ega:
Darvoza:G, MOSFET eshigi bipolyar tranzistor asosiga teng va MOSFETning o'tkazuvchanligi va uzilishini boshqarish uchun ishlatiladi. MOSFETlarda eshik kuchlanishi (Vgs) manba va drenaj o'rtasida o'tkazuvchan kanal hosil bo'ladimi yoki yo'qligini, shuningdek o'tkazuvchi kanalning kengligi va o'tkazuvchanligini aniqlaydi. Darvoza metall, polisilikon va boshqalar kabi materiallardan tayyorlangan bo'lib, oqimning to'g'ridan-to'g'ri darvoza ichiga yoki tashqarisiga oqib ketishiga yo'l qo'ymaslik uchun izolyatsion qatlam (odatda silikon dioksid) bilan o'ralgan.
Manba:S, MOSFET manbai bipolyar tranzistorning emitentiga ekvivalent va oqim o'tadigan joy. N-kanalli MOSFETlarda manba odatda quvvat manbaining salbiy terminaliga (yoki tuproqqa) ulanadi, P-kanalli MOSFETlarda esa manba quvvat manbaining musbat terminaliga ulanadi. Manba o'tkazuvchi kanalni tashkil etuvchi asosiy qismlardan biri bo'lib, eshik zo'riqishida etarlicha yuqori bo'lganida, elektronlarni (N-kanal) yoki teshiklarni (P-kanal) drenajga yuboradi.
Drenaj:D, MOSFET ning drenaji bipolyar tranzistorning kollektoriga teng bo'lib, oqimning o'tadigan joyidir. Drenaj odatda yukga ulanadi va kontaktlarning zanglashiga olib keladigan oqim sifatida ishlaydi. MOSFETda drenaj o'tkazuvchan kanalning boshqa uchi bo'lib, eshik kuchlanishi manba va drenaj o'rtasida o'tkazuvchan kanalning shakllanishini nazorat qilganda, oqim manbadan o'tkazuvchan kanal orqali drenajga oqib chiqishi mumkin.
Xulosa qilib aytganda, MOSFET eshigi yoqish va o'chirishni boshqarish uchun ishlatiladi, manba oqim oqib chiqadigan joy va drenaj oqim oqadigan joydir. Bu uch qutb birgalikda MOSFETning ish holatini va ishlashini aniqlaydi. .
Yuborilgan vaqt: 2024 yil 26-sentyabr
