MOSFET, metall-oksid-yarim o'tkazgichli maydon effektli tranzistor sifatida tanilgan, maydon effektli tranzistor (FET) turiga tegishli bo'lgan keng qo'llaniladigan elektron qurilmadir.MOSFETmetall darvoza, oksid izolyatsion qatlam (odatda Silikon dioksid SiO₂) va yarimo'tkazgich qatlami (odatda silikon Si) dan iborat. Faoliyat printsipi yarimo'tkazgichning yuzasida yoki ichidagi elektr maydonini o'zgartirish uchun eshik kuchlanishini nazorat qilish, shu bilan manba va drenaj o'rtasidagi oqimni nazorat qilishdir.
MOSFETlarikkita asosiy turga bo'lish mumkin: N-kanalMOSFETlar(NMOS) va P-kanalMOSFETlar(PMOS). NMOSda, eshik kuchlanishi manbaga nisbatan musbat bo'lsa, yarimo'tkazgich yuzasida n-tipli o'tkazuvchi kanallar hosil bo'lib, elektronlarning manbadan drenajga oqishini ta'minlaydi. PMOS da, eshik kuchlanishi manbaga nisbatan salbiy bo'lsa, yarimo'tkazgich yuzasida p-tipli o'tkazgich kanallari hosil bo'lib, teshiklarning manbadan drenajga oqib chiqishiga imkon beradi.
MOSFETlaryuqori kirish empedansi, past shovqin, kam quvvat iste'moli va integratsiya qulayligi kabi ko'plab afzalliklarga ega, shuning uchun ular analog sxemalar, raqamli sxemalar, quvvatni boshqarish, quvvat elektroniği, aloqa tizimlari va boshqa sohalarda keng qo'llaniladi. Integral mikrosxemalarda,MOSFETlarCMOS (Qo'shimcha metall oksidi yarimo'tkazgich) mantiqiy davrlarini tashkil etuvchi asosiy birliklar. CMOS sxemalari NMOS va PMOS afzalliklarini birlashtiradi va kam quvvat sarfi, yuqori tezlik va yuqori integratsiya bilan ajralib turadi.
Bunga qo'chimcha,MOSFETlaro‘tkazuvchi kanallari oldindan tuzilganligiga ko‘ra kuchaytiruvchi va kamayuvchi turlarga bo‘linadi. Kengaytirish turiMOSFETkanal o'tkazuvchan bo'lmaganda darvoza voltaji nolga teng bo'lsa, o'tkazuvchan kanalni hosil qilish uchun ma'lum bir eshik kuchlanishini qo'llash kerak; tugatilish turiMOSFETkanal allaqachon o'tkazuvchan bo'lsa, darvoza kuchlanishi nolga teng bo'lsa, eshik kuchlanishi kanalning o'tkazuvchanligini nazorat qilish uchun ishlatiladi.
Qisqa bayoni; yakunida,MOSFETmetall oksidi yarimo'tkazgichli strukturaga asoslangan dala effektli tranzistor bo'lib, u eshik kuchlanishini nazorat qilish orqali manba va drenaj o'rtasidagi oqimni tartibga soladi va keng ko'lamli ilovalar va muhim texnik qiymatga ega.
Yuborilgan vaqt: 2024 yil 12-sentabr
