I. MOSFET ta'rifi
Voltajga asoslangan, yuqori oqim qurilmalari sifatida, MOSFETlar sxemalarda, ayniqsa quvvat tizimlarida ko'p sonli ilovalarga ega. Parazit diodlar deb ham ataladigan MOSFET tanasi diodlari integral mikrosxemalar litografiyasida topilmaydi, lekin alohida MOSFET qurilmalarida mavjud bo'lib, ular yuqori oqimlar bilan harakatlanayotganda va induktiv yuklar mavjud bo'lganda teskari himoya va oqimning davom etishini ta'minlaydi.
Ushbu diodning mavjudligi sababli, MOSFET qurilmasini kontaktlarning zanglashiga olib o'tishini oddiygina ko'rish mumkin emas, chunki zaryadlash tugaydigan zaryadlash pallasida, quvvat o'chiriladi va batareya tashqariga teskari bo'ladi, bu odatda istalmagan natijadir.
Umumiy yechim teskari elektr ta'minotini oldini olish uchun orqada diod qo'shishdir, lekin diodning xarakteristikalari 0,6 ~ 1V kuchlanishning to'g'ridan-to'g'ri pasayishiga bo'lgan ehtiyojni aniqlaydi, bu esa chiqindilarni keltirib chiqaradigan yuqori oqimlarda jiddiy issiqlik hosil bo'lishiga olib keladi. energiya va umumiy energiya samaradorligini kamaytirish. Yana bir usul - energiya samaradorligiga erishish uchun MOSFET-ning past qarshiligidan foydalanib, orqaga MOSFET-ni qo'shish.
Shuni ta'kidlash kerakki, MOSFET o'tkazuvchanligidan so'ng yo'nalishsiz, shuning uchun bosim ostida o'tkazgandan so'ng, u simga teng, faqat qarshilik ko'rsatadi, kuchlanishning pasayishi yo'q, odatda bir necha milliohm uchun to'yingan qarshilik.o'z vaqtida milliohm, va yo'nalishsiz, doimiy va AC quvvatini o'tkazishga imkon beradi.
II. MOSFETlarning xususiyatlari
1, MOSFET kuchlanish bilan boshqariladigan qurilma, yuqori oqimlarni haydash uchun qo'zg'alish bosqichi kerak emas;
2、Yuqori kirish qarshiligi;
3, keng ish chastotasi diapazoni, yuqori kommutatsiya tezligi, kam yo'qotish
4, AC qulay yuqori empedans, past shovqin.
5,Bir nechta parallel foydalanish, chiqish oqimini oshirish
Ikkinchidan, ehtiyot choralari jarayonida MOSFETlardan foydalanish
1, MOSFETdan xavfsiz foydalanishni ta'minlash uchun, chiziqli dizaynda quvur liniyasi quvvatining tarqalishi, maksimal qochqin manba kuchlanishi, eshik manbai kuchlanishi va oqim va boshqa parametr chegara qiymatlaridan oshmasligi kerak.
2, ishlatilayotgan MOSFETlarning har xil turlari kerakqat'iy bo'ling kontaktlarning zanglashiga olib kirish uchun zarur bo'lgan yo'nalishga muvofiq, MOSFET ofset polaritesiga rioya qilish.
3. MOSFETni o'rnatayotganda, isitish elementiga yaqinlashmaslik uchun o'rnatish joyiga e'tibor bering. Armatura tebranishini oldini olish uchun qobiqni mahkamlash kerak; pinning egilishi va oqmasligi uchun pin o'tkazgichlarini egish ildiz o'lchamidan 5 mm dan kattaroq bo'lishi kerak.
4, juda yuqori kirish empedansi tufayli, MOSFETlar tashish va saqlash vaqtida pindan qisqa tutashuvi va eshikning tashqi sabab bo'lgan potentsial buzilishining oldini olish uchun metall ekran bilan o'ralgan bo'lishi kerak.
5. Birlashma MOSFETlarning eshik kuchlanishini teskari o'zgartirish mumkin emas va ochiq tutashuv holatida saqlanishi mumkin, lekin ular ishlatilmayotganda izolyatsiyalangan eshikli MOSFETlarning kirish qarshiligi juda yuqori, shuning uchun har bir elektrod qisqa tutashuvga ega bo'lishi kerak. Izolyatsiya qilingan eshikli MOSFETlarni lehimlashda manba-drenaj eshigi tartibiga rioya qiling va quvvatni o'chirilgan holda lehimlang.
MOSFET-lardan xavfsiz foydalanishni ta'minlash uchun siz MOSFET-larning xususiyatlarini va jarayondan foydalanishda ko'rilishi kerak bo'lgan ehtiyot choralarini to'liq tushunishingiz kerak, yuqoridagi xulosa sizga yordam beradi deb umid qilaman.
Xabar vaqti: 2024 yil 15-may
