Maxsus reja: yuqori quvvatli MOSFET issiqlik tarqalish moslamasi, shu jumladan ichi bo'sh struktura korpusi va elektron plata.Elektron plata korpusga joylashtirilgan.Bir qator yonma-yon MOSFETlar elektron plataning ikkala uchiga pinlar orqali ulangan.Shuningdek, u siqish uchun qurilmani ham o'z ichiga oladiMOSFETlar.MOSFET korpusning ichki devoridagi issiqlik tarqalish bosimi blokiga yaqin bo'lishi uchun qilingan.Issiqlik tarqalish bosimi blokida u orqali o'tadigan birinchi aylanma suv kanali mavjud.Birinchi aylanma suv kanali ko'plab yonma-yon MOSFETlar bilan vertikal ravishda joylashtirilgan.Korpusning yon devori birinchi aylanma suv kanaliga parallel ravishda ikkinchi aylanma suv kanali bilan ta'minlangan va ikkinchi aylanma suv kanali mos keladigan MOSFETga yaqin.Issiqlik tarqalish bosimi bloki bir nechta tishli teshiklar bilan ta'minlangan.Issiqlik tarqalish bosimi bloki vintlar orqali korpusning ichki devoriga mahkam bog'langan.Vintlardek, korpusning yon devoridagi tishli teshiklardan issiqlik tarqaladigan bosim blokining tishli teshiklariga vidalanadi.Kosonning tashqi devori issiqlik tarqaladigan yiv bilan ta'minlangan.Korpusning ichki devorining ikkala tomonida elektron platani qo'llab-quvvatlash uchun qo'llab-quvvatlash panjaralari mavjud.Issiqlik tarqalish bosimi bloki korpusning ichki devoriga mahkam bog'langan bo'lsa, elektron plata issiqlik tarqalish bosimi blokining yon devorlari va qo'llab-quvvatlash panjaralari orasiga bosiladi.Ular orasida izolyatsiya plyonkasi mavjudMOSFETva korpusning ichki devori va issiqlik tarqalish bosimi bloki va MOSFET o'rtasida izolyatsion plyonka mavjud.Qobiqning yon devori birinchi aylanma suv kanaliga perpendikulyar issiqlik tarqalish trubkasi bilan ta'minlangan.Issiqlik tarqatuvchi trubaning bir uchi radiator bilan ta'minlangan, ikkinchisi esa yopiq.Radiator va issiqlik tarqalish trubkasi yopiq ichki bo'shliqni hosil qiladi va ichki bo'shliq sovutgich bilan ta'minlanadi.Issiqlik moslamasi issiqlik tarqalish trubasiga mahkam bog'langan issiqlik tarqalish halqasini va issiqlik tarqalish halqasiga mahkam bog'langan issiqlik tarqalish qanotini o'z ichiga oladi;issiqlik qabul qiluvchi ham sovutish foniyiga mahkam bog'langan.
Maxsus effektlar: MOSFET ning issiqlik tarqalish samaradorligini oshiring va xizmat muddatini yaxshilangMOSFET;korpusning issiqlik tarqalish effektini yaxshilash, korpus ichidagi haroratni barqaror saqlash;oddiy tuzilish va oson o'rnatish.
Yuqoridagi tavsif faqat ushbu ixtironing texnik yechimining umumiy ko'rinishidir.Ushbu ixtironing texnik vositalarini aniqroq tushunish uchun uni tavsif mazmuniga muvofiq amalga oshirish mumkin.Ushbu ixtironing yuqoridagi va boshqa ob'ektlari, xususiyatlari va afzalliklari yanada ravshan va tushunarli bo'lishi uchun afzal qilingan variantlar quyida qo'shimcha chizmalar bilan birga batafsil tavsiflanadi.
Issiqlik tarqatish qurilmasi ichi bo'sh struktura korpusini 100 va elektron platani 101 o'z ichiga oladi. 101 elektron plata korpusda 100 joylashtirilgan. Bir qator yonma-yon MOSFETlar 102 101-sonli plataning ikkala uchiga pinlar orqali ulangan.Shuningdek, u MOSFET 102 ni siqish uchun issiqlik tarqalish bosimi blokini 103 o'z ichiga oladi, shuning uchun MOSFET 102 korpusning 100 ichki devoriga yaqin bo'ladi. Issiqlik tarqalish bosimi bloki 103 u orqali o'tadigan birinchi aylanma suv kanaliga 104 ega.Birinchi aylanma suv kanali 104 vertikal ravishda bir nechta yonma-yon MOSFET 102 bilan joylashtirilgan.
Issiqlikning tarqalish bosimi bloki 103 MOSFET 102 ni korpusning 100 ichki devoriga bosadi va MOSFET 102 issiqligining bir qismi korpusga 100 o'tkaziladi. Issiqlikning yana bir qismi issiqlik tarqalish blokiga 103 o'tkaziladi va korpus 100 issiqlikni havoga tarqatadi.Issiqlik tarqalish blokining 103 issiqligi birinchi aylanma suv kanali 104 dagi sovutish suvi bilan olinadi, bu MOSFET 102 ning issiqlik tarqalish effektini yaxshilaydi. Shu bilan birga, korpusdagi boshqa komponentlar tomonidan ishlab chiqarilgan issiqlikning bir qismi. 100 issiqlik tarqalish bosimi blokiga 103 ham o'tkaziladi, shuning uchun issiqlik tarqalish bosimi bloki 103 korpusdagi 100 haroratni yanada pasaytirishi va korpus 100dagi boshqa komponentlarning ish samaradorligi va xizmat muddatini yaxshilashi mumkin;G'ilof 100 ichi bo'sh tuzilishga ega, shuning uchun issiqlik korpusda 100 osonlik bilan to'planmaydi, shuning uchun elektron plataning 101 haddan tashqari qizishi va yonib ketishining oldini oladi.Korpusning yon devori 100 birinchi aylanma suv kanali 104 ga parallel ravishda ikkinchi aylanma suv kanali 105 bilan ta'minlangan va ikkinchi aylanma suv kanali 105 mos keladigan MOSFET 102 ga yaqin.Korpusning tashqi devori 100 issiqlik tarqaladigan truba 108 bilan ta'minlangan.Korpusning 100 issiqligi asosan ikkinchi aylanma suv kanalidagi 105 sovutish suvi orqali olinadi.Issiqlikning yana bir qismi issiqlik tarqalish trubkasi 108 orqali chiqariladi, bu esa korpusning 100 issiqlik tarqalishi ta'sirini yaxshilaydi. Issiqlik tarqatish bosimi bloki 103 bir nechta tishli teshiklar bilan ta'minlanadi 107. Issiqlik tarqalish bosimi bloki 103 mahkam bog'langan vintlar orqali uy-joy 100 ichki devori.Vintlar korpusning 100 yon devorlaridagi tishli teshiklardan issiqlik tarqaladigan bosim blokining 103 tishli teshiklariga vidalanadi.
Ushbu ixtiroda birlashtiruvchi qism 109 issiqlik tarqalish bosimi blokining 103 chetidan cho'zilgan. Birlashtiruvchi qism 109 bir qator tishli teshiklar bilan ta'minlangan 107. Birlashtiruvchi qism 109 korpusning 100 ichki devoriga mahkam bog'langan. vintlar orqali.101-gachasi platani qo'llab-quvvatlash uchun korpusning 100 ichki devorining har ikki tomonida tayanch panjaralari 106 ta'minlanadi. Issiqlik tarqatuvchi bosim bloki 103 korpusning 100 ichki devoriga mahkam bog'langanda, elektron plata 101 korpus o'rtasida bosiladi. issiqlik tarqalish bosimi blokining yon devorlari 103 va qo'llab-quvvatlash majmuasi 106. O'rnatish vaqtida elektron plata 101 birinchi navbatda qo'llab-quvvatlash paneli 106 yuzasiga joylashtiriladi va issiqlik tarqalish bosimi blokining 103 pastki qismi yuqori sirtga bosiladi. elektron plataning 101. Keyin, issiqlik tarqalish bosimi bloki 103 vintlar bilan korpusning 100 ichki devoriga o'rnatiladi.101-gachasi platani o'rnatish va olib tashlashni osonlashtirish uchun 101-gachasi platani qisish uchun issiqlik tarqalish bosimi bloki 103 va qo'llab-quvvatlash paneli 106 o'rtasida siqish yivi hosil bo'ladi. Shu bilan birga, elektron plata 101 issiqlik tarqalishiga yaqin joylashgan. bosim bloki 103.Shu sababli, elektron plata 101 tomonidan ishlab chiqarilgan issiqlik issiqlik tarqalish bosimi blokiga 103 o'tkaziladi va issiqlik tarqalish bosimi bloki 103 birinchi aylanma suv kanali 104 dagi sovutish suvi tomonidan olib tashlanadi va shu bilan elektron plataning 101 qizib ketishining oldini oladi. va yonish.Tercihen, izolyatsion plyonka MOSFET 102 va korpusning ichki devori 100 o'rtasida, izolyatsiya plyonkasi esa issiqlik tarqalish bosimi bloki 103 va MOSFET 102 o'rtasida joylashtirilgan.
Yuqori quvvatli MOSFET issiqlikni tarqatish moslamasi ichi bo'sh konstruktsiyali korpus 200 va elektron platani 202 o'z ichiga oladi. 202 elektron plata korpusda 200 joylashtirilgan. Bir qator yonma-yon MOSFETlar 202 mos ravishda kontaktlarning zanglashiga olib ikkala uchiga ulangan. pinlar orqali taxta 202, shuningdek, MOSFET'larni 202 siqish uchun issiqlik tarqalish bosimi blokini 203 o'z ichiga oladi, shunda MOSFET'lar 202 korpusning 200 ichki devoriga yaqin bo'ladi.Birinchi aylanma suv kanali 204 issiqlik tarqalish bosimi bloki 203 orqali o'tadi. Birinchi aylanma suv kanali 204 vertikal ravishda bir nechta yonma-yon MOSFETlar 202 bilan joylashtirilgan. Qobiqning yon devoriga perpendikulyar issiqlik tarqalish trubkasi 205 bilan ta'minlangan. birinchi aylanma suv kanali 204, va issiqlik tarqalish trubkasi 205 bir uchi issiqlik tarqalish tanasi bilan ta'minlangan 206. Boshqa uchi yopiq, va issiqlik tarqalish organi 206 va issiqlik tarqalish trubkasi 205 yopiq ichki bo'shliqni hosil qiladi va sovutgich ichki bo'shliqda joylashgan.MOSFET 202 issiqlik hosil qiladi va sovutgichni bug'laydi.Bug'langanda u issiqlikni isitish uchidan (MOSFET 202 uchiga yaqin) o'zlashtiradi va keyin isitish uchidan sovutish uchiga (MOSFET 202 uchidan uzoqda) oqadi.Sovutish uchida sovuqqa duch kelganda, u quvur devorining tashqi atrofiga issiqlik chiqaradi.Keyin suyuqlik isitish uchiga oqadi, shuning uchun issiqlik tarqalish davri hosil qiladi.Bug'lanish va suyuqlik orqali issiqlik tarqalishi an'anaviy issiqlik o'tkazgichlarining issiqlik tarqalishiga qaraganda ancha yaxshi.Issiqlik tarqatuvchi korpus 206 issiqlik tarqalish trubkasi 205 ga mahkam bog'langan issiqlik tarqalish halqasini 207 va issiqlik tarqalish halqasiga 207 mahkam bog'langan issiqlik tarqalish qanotini 208 o'z ichiga oladi;issiqlik tarqalish qanoti 208, shuningdek, sovutish foniyiga 209 mahkam bog'langan.
Issiqlik tarqatish halqasi 207 va issiqlik tarqalish trubkasi 205 uzoq o'rnatish masofasiga ega, shuning uchun issiqlik tarqalish rishtasi 207 tez issiqlik tarqalishiga erishish uchun issiqlik tarqalish trubkasi 205 dagi issiqlikni issiqlik qabul qiluvchiga 208 tez o'tkazishi mumkin.
Yuborilgan vaqt: 2023 yil 08-noyabr
