1.Junction MOSFET pinini aniqlash
ning darvozasiMOSFET tranzistorning asosi, drenaj va manba esa kollektor va emitent hisoblanadimos keladigan tranzistor. Multimetrdan R × 1k vitesga, ikkita pin orasidagi oldinga va teskari qarshilikni o'lchash uchun ikkita qalam bilan. Qachon ikki pinli oldinga qarshilik = teskari qarshilik = KŌ, ya'ni, manba S va drenaj D uchun ikkita pin, qolgan pin G eshigidir. Agar u 4 pinli bo'lsa.MOSFET ulanishi, boshqa qutb - tuproqli qalqondan foydalanish.
2.Darvozani aniqlang
Multimetrning qora ruchkasi MOSFET-ga tasodifiy elektrodga tegishi uchun, qizil qalam esa qolgan ikkita elektrodga tegishi mumkin. Agar ikkala o'lchangan qarshilik ham kichik bo'lsa, ikkalasi ham ijobiy qarshilik ekanligini ko'rsatsa, kolba N-kanal MOSFETga tegishli bo'lsa, xuddi shu qora qalam kontakti ham eshikdir.
Ishlab chiqarish jarayoni MOSFET ning drenaji va manbai nosimmetrik ekanligiga va bir-biri bilan almashtirilishiga va kontaktlarning zanglashiga olib kelishiga ta'sir qilmasligiga qaror qildi, kontaktlarning zanglashiga olib kelishi ham normal, shuning uchun borishning hojati yo'q. haddan tashqari farqlash uchun. Drenaj va manba o'rtasidagi qarshilik taxminan bir necha ming ohmni tashkil qiladi. Izolyatsiya qilingan eshik turi MOSFET eshigini aniqlash uchun ushbu usuldan foydalana olmaysiz. Ushbu MOSFET kirishining qarshiligi juda yuqori va darvoza va manba o'rtasidagi qutblararo sig'im juda kichik bo'lgani uchun, kichik zaryad miqdorini o'lchash qutblararo tepada hosil bo'lishi mumkin. juda yuqori kuchlanish sig'imi, MOSFETga zarar etkazish juda oson bo'ladi.
3.MOSFETlarning kuchaytirish qobiliyatini baholash
Multimetr R × 100 ga o'rnatilganda, S manbasini ulash uchun qizil qalamdan foydalaning va D drenajini ulash uchun qora qalamdan foydalaning, bu MOSFETga 1,5V kuchlanish qo'shishga o'xshaydi. Bu vaqtda igna DS qutbi orasidagi qarshilik qiymatini bildiradi. Bu vaqtda barmog'ingiz bilan G darvozasini chimchilab oling, tananing induktsiyalangan kuchlanishi darvozaga kirish signali sifatida. MOSFET kuchaytirilishining roli tufayli ID va UDS o'zgaradi, ya'ni DS qutbi orasidagi qarshilik o'zgargan, biz igna katta tebranish amplitudasiga ega ekanligini kuzatishimiz mumkin. Agar qo'l darvozani chimchilab qo'ysa, ignaning tebranishi juda kichik, ya'ni MOSFETni kuchaytirish qobiliyati nisbatan zaif; agar igna MOSFETning shikastlanganligini ko'rsatadigan eng kichik harakatga ega bo'lmasa.
Yuborilgan vaqt: 2024 yil 18-iyul
