Kanal mavjudligi FETni o'tkazishi mumkin bo'lsa, D-FET 0 darvoza chizig'ida bo'ladi; E-FET hech qanday kanal yo'q bo'lsa, 0 darvoza chizig'ida bo'ladi, FETni o'tkaza olmaydi. bu ikki turdagi FETs o'ziga xos xususiyatlarga va foydalanishga ega. Umuman olganda, yuqori tezlikda, past quvvatli davrlarda rivojlangan FET juda qimmatlidir; va bu qurilma ishlayapti, bu darvoza tarafkashligi vo polaritesidirto'kib tashlang va drenajlang bir xil kuchlanish, kontaktlarning zanglashiga olib dizaynda qulayroqdir.
Kengaytirilgan deb ataladigan vositalar: VGS = 0 trubkasi kesilgan holat bo'lganda, ortiqcha to'g'ri VGS, tashuvchilarning ko'pchiligi darvozaga tortiladi, shuning uchun mintaqadagi tashuvchilarni "kuchaytiradi", o'tkazuvchi kanalni hosil qiladi. n-kanalli takomillashtirilgan MOSFET asosan chapdan o'ngga simmetrik topologiya bo'lib, u SiO2 plyonkali izolyatsiya qatlamini yaratishda P tipidagi yarimo'tkazgich hisoblanadi. U P tipidagi yarimo'tkazgichda SiO2 plyonkasining izolyatsion qatlamini hosil qiladi va keyin ikkita yuqori qo'llaniladigan N tipidagi hududlarni tarqatadi.fotolitografiya, va N tipidagi hududdan elektrodlarni olib boradi, biri drenaj D uchun va biri S manba uchun. Alyuminiy metall qatlami manba va drenaj o'rtasidagi izolyatsion qatlamda G eshigi sifatida qoplangan. VGS = 0 V bo'lganda. , Drenaj va manba o'rtasida orqaga qarab diodli juda ko'p diodlar mavjud va D va S o'rtasidagi kuchlanish D va S o'rtasida oqim hosil qilmaydi. D va S o'rtasidagi oqim qo'llaniladigan kuchlanish bilan hosil bo'lmaydi. .
Darvoza kuchlanishi qo'shilganda, agar 0 < VGS < VGS(th) bo'lsa, darvoza va taglik o'rtasida hosil bo'lgan sig'imli elektr maydoni orqali, darvoza pastki qismiga yaqin joylashgan P tipidagi yarimo'tkazgichdagi polion teshiklari pastga suriladi va manfiy ionlarning yupqa kamayuvchi qatlami paydo bo'ladi; shu bilan birga, u oligonlarni sirt qatlamiga o'tkazish uchun jalb qiladi, ammo ularning soni cheklangan va drenaj va manbani bog'laydigan o'tkazuvchan kanalni hosil qilish uchun etarli emas, shuning uchun drenaj oqimi identifikatorini shakllantirish uchun hali ham etarli emas. yanada oshirish VGS, qachon VGS > VGS (th) (VGS (th) yoqish kuchlanish deb ataladi), chunki bu vaqtda darvoza kuchlanish nisbatan kuchli bo'lgan, P-tipi yarimo'tkazgichlar sirt qatlamida ko'proq yig'ish quyida darvoza pastki yaqinida. elektronlar, siz xandaq, drenaj va aloqa manbasini yaratishingiz mumkin. Agar bu vaqtda drenaj manbai kuchlanishi qo'shilsa, drenaj oqimi ID hosil bo'lishi mumkin. o'tkazuvchan kanaldagi elektronlar darvoza ostidan hosil bo'ladi, chunki P tipidagi yarimo'tkazgich qutbli tashuvchisi teshikka qarama-qarshi bo'lib, u anti-tipli qatlam deb ataladi. VGS o'sishda davom etar ekan, ID o'sishda davom etadi. VGS = 0V da ID = 0 va drenaj oqimi faqat VGS > VGS(th) dan keyin sodir bo'ladi, shuning uchun MOSFETning bunday turi MOSFETni kuchaytirish deb ataladi.
Drenaj oqimidagi VGS ning nazorat munosabatlarini uzatish xarakteristikasi egri chizig'i deb ataladigan iD = f(VGS(th))|VDS=const egri chizig'i va uzatish xarakteristikasi egri chizig'ining qiyaligi kattaligi, gm, eshik manbai kuchlanishi orqali drenaj oqimining nazoratini aks ettiradi. gm ning kattaligi mA/V ga teng, shuning uchun gm o'tkazuvchanlik deb ham ataladi.
Yuborilgan vaqt: 2024 yil 04-avgust
