MOSFET tanlovi | N-kanal MOSFET qurilish tamoyillari

Kristalli tranzistorning metall-oksid-yarim o'tkazgich strukturasi keng tarqalganMOSFET, bu erda MOSFETlar P tipidagi MOSFETlar va N tipidagi MOSFETlarga bo'linadi. MOSFET-lardan tashkil topgan integral mikrosxemalar, shuningdek, MOSFET integral mikrosxemalar deb ataladi va PMOSFET-lardan tashkil topgan chambarchas bog'liq MOSFET integral mikrosxemalari vaNMOSFETlar CMOSFET integral mikrosxemalar deb ataladi.

P-tipli substrat va yuqori konsentratsiyali ikkita n-tarqalish joylaridan iborat MOSFET n-kanal deb ataladi.MOSFET, va n-tipli o'tkazgich kanalidan kelib chiqqan o'tkazuvchi kanal, quvur o'tkazayotganda yuqori konsentratsiyali qiymatlarga ega bo'lgan ikkita n-tarqalish yo'lidagi n-tarqalish yo'llari tufayli yuzaga keladi. n-kanalli qalinlashgan MOSFETlar n-kanalga ega bo'lib, ular o'tkazuvchan kanaldan kelib chiqadi, agar eshikda musbat yo'nalish imkon qadar ko'tarilgan bo'lsa va faqat eshik manbasining ishlashi chegara kuchlanishidan oshib ketadigan ish kuchlanishini talab qilganda. n-kanalning tugashi MOSFETlar eshik kuchlanishiga tayyor bo'lmaganlardir (darvoza manbasining ishlashi nolga teng ish kuchlanishini talab qiladi). N-kanalli yorug'likning kamayishi MOSFET - bu n-kanalli MOSFET bo'lib, unda o'tkazuvchan kanal eshik kuchlanishi (eshik manbasining ishlash talabi ish kuchlanishi nolga teng) tayyorlanmaganida yuzaga keladi.

NMOSFET integral mikrosxemalari N-kanalli MOSFET quvvat manbai davri, NMOSFET integral mikrosxemalari, kirish qarshiligi juda yuqori, ko'pchilik quvvat oqimining yutilishini hazm qilishlari shart emas va shuning uchun CMOSFET va NMOSFET integral mikrosxemalar qabul qilmasdan ulanadi. quvvat oqimining yukini hisobga olish.NMOSFET integral mikrosxemalar, katta ko'pchilik Yagona guruhli musbat kommutatsiya quvvat manbai sxemasini tanlash bo'yicha elektr ta'minoti sxemalari NMOSFET integral mikrosxemalarining ko'pchiligi bitta musbat kommutatsiya elektr ta'minoti sxemasidan foydalanadi va undan ko'plari uchun 9V gacha. CMOSFET integral mikrosxemalari faqat NMOSFET integral mikrosxemalar bilan bir xil kommutatsiya quvvat manbai sxemasidan foydalanishi kerak, darhol NMOSFET integral mikrosxemalar bilan ulanishi mumkin. Shu bilan birga, NMOSFET dan CMOSFET ga darhol ulanadi, chunki NMOSFET chiqishining tortishish qarshiligi CMOSFET integral mikrosxemasi kalitli tortishish qarshiligidan kamroq, shuning uchun potentsial farqni tortib olish R rezistorini qo'llashga harakat qiling, R rezistorining qiymati odatda 2 dan 100KŌ gacha.

N-kanalli qalinlashgan MOSFETlarni qurish
Doping kontsentratsiyasining past qiymatiga ega bo'lgan P-tipli kremniy substratda yuqori doping konsentratsiyasi qiymatiga ega bo'lgan ikkita N hudud tayyorlanadi va mos ravishda drenaj d va manba s bo'lib xizmat qilish uchun alyuminiy metalldan ikkita elektrod chiqariladi.

Keyin yarimo'tkazgichli komponent yuzasida kremniy izolyatsion trubaning juda nozik bir qatlamini maskalashda, drenajda - boshqa alyuminiy elektrodning drenaji va manbai o'rtasidagi manba izolyatsiya trubkasi, darvoza g sifatida.

Substratda N-kanalli qalin MOSFETdan iborat bo'lgan B elektrod ham chiqariladi. MOSFET manbai va substrat odatda bir-biriga ulangan, zavoddagi quvurning katta qismi unga uzoq vaqtdan beri ulangan, uning eshigi va boshqa elektrodlari korpus o'rtasida izolyatsiya qilingan.