MOSFET teskari teskari davri

Birinchidan, MOSFET teskari teskari sxemaning asosiy printsipi

MOSFET-ning o'tish xususiyatlaridan foydalangan holda MOSFET teskari sxemasi, kontaktlarning zanglashiga olib kirish va o'chirish uchun eshik (G) kuchlanishini boshqarish orqali. Quvvat manbai polaritesi to'g'ri bo'lsa, eshik kuchlanishi MOSFETni o'tkazuvchanlik holatida qiladi, oqim normal oqishi mumkin; quvvat manbai polaritesi teskari bo'lganda, eshik kuchlanishi MOSFET o'tkazuvchanligini amalga oshira olmaydi, shuning uchun kontaktlarning zanglashiga olib keladi.

Ikkinchidan, MOSFET anti-teskari sxemasining o'ziga xos amalga oshirilishi

1. N-kanalli MOSFET teskari teskari sxema

N-kanalli MOSFETlar odatda teskari sxemalarni amalga oshirish uchun ishlatiladi. Sxemada N-kanalli MOSFET manbai (S) yukning salbiy terminaliga ulangan, drenaj (D) quvvat manbaining musbat terminaliga ulangan va eshik (G) ga ulangan. rezistor orqali yoki boshqaruv pallasida boshqariladigan elektr ta'minotining salbiy terminali.

Oldinga ulanish: quvvat manbaining musbat terminali D ga, salbiy terminali esa S ga ulanadi. Bu vaqtda qarshilik MOSFET uchun eshik manbai kuchlanishini (VGS) ta'minlaydi va VGS chegaradan kattaroq bo'lganda MOSFET kuchlanishi (Vth), MOSFET o'tkazadi va oqim quvvat manbaining musbat terminalidan MOSFET orqali yukga o'tadi.

Orqaga aylantirilganda: quvvat manbaining musbat terminali S ga, salbiy terminali esa D ga ulanadi. Bu vaqtda MOSFET uzilish holatidadir va yukni shikastlanishdan himoya qilish uchun kontaktlarning zanglashiga olib keladi, chunki eshik kuchlanishi. MOSFET o'tkazish uchun etarli VGS hosil qila olmaydi (VGS 0 dan kam yoki Vth dan ancha past bo'lishi mumkin).

2. Yordamchi komponentlarning roli

Rezistor: MOSFET uchun eshik manbai kuchlanishini ta'minlash va eshikning haddan tashqari oqimining shikastlanishini oldini olish uchun eshik oqimini cheklash uchun ishlatiladi.

Voltaj regulyatori: eshik manbai kuchlanishining juda yuqori bo'lishini va MOSFETni buzishini oldini olish uchun ishlatiladigan ixtiyoriy komponent.

Parazit diyot: MOSFET ichida parazit diod (tana diodi) mavjud, ammo uning ta'siri odatda teskari kontaktlarning zanglashiga olib keladigan kontaktlarning zanglashiga olib keladigan zararli ta'sirini oldini olish uchun sxema dizaynida e'tiborga olinmaydi.

Uchinchidan, MOSFET anti-teskari sxemasining afzalliklari

Kam yo'qotish: MOSFET qarshiligi kichik, qarshilik kuchlanishi kamayadi, shuning uchun elektron yo'qotish kichik.

Yuqori ishonchlilik: teskari funktsiyani oddiy sxema dizayni orqali amalga oshirish mumkin va MOSFETning o'zi yuqori darajadagi ishonchlilikka ega.

Moslashuvchanlik: turli xil MOSFET modellari va elektron dizaynlar turli xil dastur talablariga javob berish uchun tanlanishi mumkin.

Ehtiyot choralari

MOSFET-ning teskari teskari sxemasini loyihalashda siz MOSFET-larning tanlovi dastur talablariga, shu jumladan kuchlanish, oqim, kommutatsiya tezligi va boshqa parametrlarga javob berishini ta'minlashingiz kerak.

Sxemaning ishlashiga salbiy ta'sir ko'rsatmaslik uchun kontaktlarning zanglashiga olib keladigan boshqa komponentlarning, masalan, parazit sig'im, parazitar indüktans va boshqalar ta'sirini hisobga olish kerak.

Amaliy ilovalarda sxemaning barqarorligi va ishonchliligini ta'minlash uchun tegishli sinov va tekshirish ham talab qilinadi.

Xulosa qilib aytganda, MOSFET anti-teskari sxemasi oddiy, ishonchli va kam yo'qotilgan elektr ta'minotini himoya qilish sxemasi bo'lib, u teskari quvvat polaritesining oldini olishni talab qiladigan turli xil ilovalarda keng qo'llaniladi.