N-kanalli MOSFET nima ekanligini bilasizmi?

I. Asosiy tuzilishi va tarkibi

N-kanalli MOSFET quyidagi asosiy komponentlardan iborat:

Darvoza:manba va drenaj o'rtasidagi Supero'tkazuvchilar kanalni boshqarish uchun eshik kuchlanishini o'zgartirish orqali boshqaruv terminali.· ·

Manba:Odatda kontaktlarning zanglashiga olib keladigan salbiy tomoniga ulangan oqim oqimi.· ·

Drenaj: oqim oqimi, odatda kontaktlarning zanglashiga olib keladigan yukiga ulanadi.

Substrat:Odatda MOSFETlar uchun substrat sifatida ishlatiladigan P tipidagi yarimo'tkazgich materiali.

Izolyator:Darvoza va kanal o'rtasida joylashgan bo'lib, u odatda silikon dioksiddan (SiO2) tayyorlanadi va izolyator vazifasini bajaradi.

II. Ishlash printsipi

N-kanalli MOSFET ning ishlash printsipi elektr maydon ta'siriga asoslangan bo'lib, u quyidagicha davom etadi:

Chiqib ketish holati:Eshik kuchlanishi (Vgs) chegara kuchlanishidan (Vt) past bo'lsa, darvoza ostidagi P tipidagi substratda N tipidagi o'tkazgich kanali hosil bo'lmaydi va shuning uchun manba va drenaj o'rtasidagi kesish holati mavjud. va oqim oqishi mumkin emas.

O'tkazuvchanlik holati:Darvoza kuchlanishi (Vgs) chegara kuchlanishidan (Vt) yuqori bo'lsa, eshik ostidagi P tipidagi substratdagi teshiklar qaytarilib, kamayish qatlamini hosil qiladi. Darvoza kuchlanishining yanada oshishi bilan elektronlar P tipidagi substrat yuzasiga tortilib, N tipidagi o'tkazgich kanalini hosil qiladi. Ushbu nuqtada manba va drenaj o'rtasida yo'l hosil bo'ladi va oqim oqishi mumkin.

III. Turlari va xususiyatlari

N-kanalli MOSFETlarni xususiyatlariga ko'ra har xil turlarga bo'lish mumkin, masalan, Enhancement-Mode va Depletion-Mode. Ular orasida, Enhancement-Mode MOSFET-lar eshik zo'riqishida nolga teng bo'lsa, o'chirish holatida bo'ladi va o'tkazish uchun musbat eshik kuchlanishini qo'llash kerak; Eshik kuchlanishi nolga teng bo'lganda, Depletion-Mode MOSFETs allaqachon o'tkazuvchan holatda.

N-kanalli MOSFETlar juda ko'p ajoyib xususiyatlarga ega, masalan:

Yuqori kirish empedansi:MOSFET eshigi va kanali izolyatsion qatlam bilan izolyatsiya qilingan, bu esa juda yuqori kirish empedansiga olib keladi.

Kam shovqin:MOSFETlarning ishlashi ozchilik tashuvchilarning in'ektsiyasini va birikmasini o'z ichiga olmaganligi sababli, shovqin past.

Kam quvvat sarfi: MOSFET-lar yoqilgan va yopiq holatda ham kam quvvat sarfiga ega.

Yuqori tezlikdagi kommutatsiya xususiyatlari:MOSFETlar juda tez kommutatsiya tezligiga ega va yuqori chastotali davrlar va yuqori tezlikdagi raqamli kontaktlarning zanglashiga olib keladi.

IV. Qo'llash sohalari

N-kanalli MOSFETlar mukammal ishlashi tufayli turli xil elektron qurilmalarda keng qo'llaniladi, masalan:

Raqamli sxemalar:Mantiqiy eshik sxemalarining asosiy elementi sifatida raqamli signallarni qayta ishlash va boshqarishni amalga oshiradi.

Analog sxemalar:Kuchaytirgichlar va filtrlar kabi analog sxemalarda asosiy komponent sifatida ishlatiladi.

Quvvat elektronikasi:Kommutatsiya quvvat manbalari va motor drayverlari kabi quvvat elektron qurilmalarini boshqarish uchun ishlatiladi.

Boshqa hududlar:LED yoritgichlari, avtomobil elektronikasi, simsiz aloqa va boshqa sohalar ham keng qo'llaniladi.

Xulosa qilib aytadigan bo'lsak, N-kanalli MOSFET muhim yarimo'tkazgichli qurilma sifatida zamonaviy elektron texnologiyalarda o'zgarmas rol o'ynaydi.