MOSFET quvvatining ishlash printsipi haqida

MOSFETlar uchun keng tarqalgan bo'lib foydalaniladigan sxema belgilarining ko'plab o'zgarishlari mavjud. Eng keng tarqalgan dizayn - kanalni ifodalovchi to'g'ri chiziq, manba va drenajni ifodalovchi kanalga perpendikulyar ikkita chiziq va darvozani ifodalovchi chapdagi kanalga parallel ravishda qisqaroq chiziq. Ba'zan yaxshilash rejimini farqlash uchun kanalni ifodalovchi to'g'ri chiziq ham siniq chiziq bilan almashtiriladimosfet yoki rasmda ko'rsatilganidek, N-kanalli MOSFET va P-kanalli MOSFET ikkita turdagi sxema belgilariga bo'linadi (o'qning yo'nalishi boshqacha).

Power MOSFETlar ikkita asosiy usulda ishlaydi:

(1) D va S ga musbat kuchlanish qo'shilsa (drenaj musbat, manba manfiy) va UGS=0, P tanasi mintaqasi va N drenaj mintaqasidagi PN birikmasi teskari yo'nalishda bo'ladi va D o'rtasida oqim o'tmaydi. va S. Agar G va S o'rtasida musbat kuchlanish UGS qo'shilsa, eshik izolyatsiyalanganligi sababli hech qanday eshik oqimi oqmaydi, lekin darvozadagi musbat kuchlanish teshiklarni P mintaqasidan uzoqlashtiradi. ostida, va ozchilik tashuvchi elektronlar P mintaqasi yuzasiga tortiladi UGS ma'lum bir kuchlanish UT dan katta bo'lsa, darvoza ostidagi P mintaqasi yuzasida elektron kontsentratsiyasi teshik konsentratsiyasidan oshib ketadi, shuning uchun P-ga aylanadi. turdagi yarimo'tkazgich antipattern qatlami N tipidagi yarimo'tkazgich; bu antipattern qatlami manba va drenaj o'rtasida N tipidagi kanalni hosil qiladi, shuning uchun PN birikmasi yo'qoladi, manba va drenaj o'tkazuvchanligi va drenaj oqimi identifikatori drenaj orqali oqadi. UT yoqish kuchlanishi yoki pol kuchlanish deb ataladi va UGS UT dan qanchalik ko'p bo'lsa, o'tkazuvchanlik qobiliyati shunchalik ko'p bo'ladi va ID qanchalik katta bo'ladi. UGS UT dan qanchalik katta bo'lsa, o'tkazuvchanlik qanchalik kuchli bo'lsa, ID shunchalik katta bo'ladi.

(2) D, S ortiqcha salbiy kuchlanish (manba musbat, drenaj salbiy) bo'lsa, PN ulanishi oldinga yo'naltirilgan bo'lib, ichki teskari diyotga teng (tezkor javob xususiyatlariga ega emas), ya'niMOSFET teskari blokirovka qilish qobiliyatiga ega emas, teskari o'tkazuvchan komponentlar sifatida qaralishi mumkin.

tomonidanMOSFET ish printsipi ko'rish mumkin, uning o'tkazuvchanligi ishtirok faqat bitta qutbli tashuvchilari, shuning uchun ham unipolyar tranzistor.MOSFET haydovchi sifatida tanilgan, ko'pincha tegishli sxema tanlash uchun quvvat manbai IC va MOSFET parametrlariga asoslangan, MOSFET odatda kommutatsiya uchun ishlatiladi. quvvat manbai haydovchi sxemasi. MOSFET-dan foydalangan holda kommutatsiya quvvat manbaini loyihalashda ko'pchilik MOSFETning qarshiligini, maksimal kuchlanishini va maksimal oqimini hisobga oladi. Biroq, odamlar ko'pincha bu omillarni hisobga olishadi, shuning uchun sxema to'g'ri ishlashi mumkin, ammo bu yaxshi dizayn echimi emas. Batafsilroq dizayn uchun MOSFET o'zining parametr ma'lumotlarini ham hisobga olishi kerak. Aniq MOSFET uchun uning harakatlanish davri, haydovchi chiqishining eng yuqori oqimi va boshqalar MOSFET ning kommutatsiya ishlashiga ta'sir qiladi.