WSM320N04G N-kanal 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

qisqa Tasvir:

Model raqami:WSM320N04G

BVDSS:40V

RDSON:1,2 mŌ

ID:320A

Kanal:N-kanal

Paket:TOLL-8L

Mahsulot yozi:WSM320N04G MOSFET 40V kuchlanish, 320A oqim, 1,2mŌ qarshilik, N-kanal va TOLL-8L to'plamiga ega.

Ilovalar:Elektron sigaretalar, simsiz zaryadlash, dronlar, tibbiy, avtomobillarni zaryadlash, kontrollerlar, raqamli mahsulotlar, kichik maishiy texnika, maishiy elektronika.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring PDF

Mahsulot detali

Ilova

Mahsulot teglari

Umumiy tavsif

WSM320N04G xandaq dizaynidan foydalanadigan va juda yuqori hujayra zichligiga ega bo'lgan yuqori samarali MOSFET.U mukammal RDSON va eshik zaryadiga ega va ko'pgina sinxron pul konvertori ilovalari uchun javob beradi.WSM320N04G RoHS va Green Product talablariga javob beradi va 100% EAS va toʻliq funksiya ishonchliligiga ega boʻlishi kafolatlanadi.

Xususiyatlari

Kengaytirilgan yuqori hujayra zichligi Trench texnologiyasi, shuningdek, optimal ishlash uchun past eshik zaryadiga ega.Bundan tashqari, u mukammal CdV/dt effektining pasayishi, 100% EAS kafolati va ekologik toza variantga ega.

Ilovalar

Yuqori chastotali yuklanish nuqtasini sinxronlash konvertori, tarmoq DC-DC quvvat tizimi, elektr asboblarini qo'llash, elektron sigaretalar, simsiz zaryadlash, dronlar, tibbiy, avtomobillarni zaryadlash, kontrollerlar, raqamli mahsulotlar, kichik maishiy texnika va maishiy elektronika.

Muhim parametrlar

Belgi	Parametr	Reyting	Birliklar
VDS	Drenaj manbai kuchlanishi	40	V
VGS	Darvoza manba kuchlanishi	±20	V
ID@TC=25℃	Uzluksiz drenaj oqimi, VGS @ 10V1,7	320	A
ID@TC=100℃	Uzluksiz drenaj oqimi, VGS @ 10V1,7	192	A
IDM	Impulsli drenaj oqimi2	900	A
EAS	Yagona impulsli ko‘chki energiyasi3	980	mJ
IAS	Ko'chki oqimi	70	A
PD@TC=25℃	Umumiy quvvat sarfi4	250	W
TSTG	Saqlash harorati oralig'i	-55 dan 175 gacha	℃
TJ	Ishlash birlashmasining harorat diapazoni	-55 dan 175 gacha	℃

Belgi	Parametr	Shartlar	Min.	Tip.	Maks.	Birlik
BVDSS	Drenaj manbasining buzilishi kuchlanishi	VGS=0V , ID=250uA	40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS harorat koeffitsienti	25℃ ga havola, ID=1mA	---	0,050	---	V/℃
RDS(ON)	Statik drenaj manbai - qarshilik 2	VGS=10V , ID=25A	---	1.2	1.5	mŌ
RDS(ON)	Statik drenaj manbai - qarshilik 2	VGS=4,5V , ID=20A	---	1.7	2.5	mŌ
VGS(th)	Eshik chegarasi kuchlanishi	VGS=VDS , ID =250uA	1.2	1.7	2.6	V
△VGS(th)	VGS(th) harorat koeffitsienti	VGS=VDS , ID =250uA	---	-6,94	---	mV/℃
IDSS	Drenaj manbasining qochqin oqimi	VDS=40V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drenaj manbasining qochqin oqimi	VDS=40V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Darvoza manbasining qochqin oqimi	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Oldinga o'tkazuvchanlik	VDS=5V , ID=50A	---	160	---	S
Rg	Darvoza qarshiligi	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Darvozaning umumiy zaryadi (10V)	VDS=20V , VGS=10V , ID=25A	---	130	---	nC
Qgs	Gate-Source to'lovi		---	43	---
Qgd	Darvoza-Drenaj zaryadi		---	83	---
Td(yoqilgan)	Kechikish vaqti	VDD=20V , VGEN=4,5V , RG=2,7Ō, ID=1A .	---	30	---	ns
Tr	Ko'tarilish vaqti		---	115	---
Td(yopiq)	O'chirishni kechiktirish vaqti		---	95	---
Tf	Kuz vaqti		---	80	---
Ciss	Kirish sig'imi	VDS=20V , VGS=0V , f=1MGts	---	8100	---	pF
Coss	Chiqish sig'imi		---	1200	---
Crss	Teskari uzatish sig'imi		---	800	---