WSF4022 Ikki N-kanal 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Umumiy tavsif
WSF4022 - bu juda yuqori hujayra zichligiga ega bo'lgan Dual N-Ch MOSFET eng yuqori unumdorligi bo'lib, u ko'pchilik sinxron pul konvertori ilovalari uchun mukammal RDSON va eshik zaryadini ta'minlaydi. WSF4022 RoHS va Green Product talablariga javob beradi 100% EAS to'liq funksiya bilan kafolatlanadi. ishonchliligi tasdiqlangan.
Xususiyatlari
Fan Pre-driver H-Bridge, Dvigatel boshqaruvi, Sinxron rektifikatsiya, Elektron sigaretalar, simsiz zaryadlash, motorlar, favqulodda quvvat manbalari, dronlar, tibbiy yordam, avtomobil zaryadlovchi qurilmalari, kontrollerlar, raqamli mahsulotlar, kichik maishiy texnika, maishiy elektronika uchun.
Ilovalar
Fan Pre-driver H-Bridge, Dvigatel boshqaruvi, Sinxron rektifikatsiya, Elektron sigaretalar, simsiz zaryadlash, motorlar, favqulodda quvvat manbalari, dronlar, tibbiy yordam, avtomobil zaryadlovchi qurilmalari, kontrollerlar, raqamli mahsulotlar, kichik maishiy texnika, maishiy elektronika uchun.
tegishli material raqami
AOS
Muhim parametrlar
| Belgi | Parametr | Reyting | Birliklar | |
| VDS | Drenaj manbai kuchlanishi | 40 | V | |
| VGS | Darvoza manba kuchlanishi | ±20 | V | |
| ID | Drenaj oqimi (uzluksiz) *AC | TC=25°C | 20* | A |
| ID | Drenaj oqimi (uzluksiz) *AC | TC=100°C | 20* | A |
| ID | Drenaj oqimi (uzluksiz) *AC | TA=25°C | 12.2 | A |
| ID | Drenaj oqimi (uzluksiz) *AC | TA=70°C | 10.2 | A |
| IDMa | Impulsli drenaj oqimi | TC=25°C | 80* | A |
| EASb | Yagona pulsli ko'chki energiyasi | L = 0,5 mH | 25 | mJ |
| IAS b | Ko'chki oqimi | L = 0,5 mH | 17.8 | A |
| PD | Maksimal quvvat sarfi | TC=25°C | 39.4 | W |
| PD | Maksimal quvvat sarfi | TC=100°C | 19.7 | W |
| PD | Quvvatning tarqalishi | TA=25°C | 6.4 | W |
| PD | Quvvatning tarqalishi | TA=70°C | 4.2 | W |
| TJ | Ishlash birlashmasining harorat diapazoni | 175 | ℃ | |
| TSTG | Ishlash harorati/Saqlash harorati | -55~175 | ℃ | |
| RJA b | Termal qarshilik birikmasi-Ambient | Barqaror holat c | 60 | ℃/Vt |
| RthJC | Koson bilan termal qarshilik birikmasi | 3.8 | ℃/Vt |
| Belgi | Parametr | Shartlar | Min. | Tip. | Maks. | Birlik |
| Statik | ||||||
| V(BR)DSS | Drenaj manbasining buzilishi kuchlanishi | VGS = 0V, ID = 250mA | 40 | V | ||
| IDSS | Nolinchi eshik kuchlanishining drenaj oqimi | VDS = 32V, VGS = 0V | 1 | mkA | ||
| IDSS | Nolinchi eshik kuchlanishining drenaj oqimi | VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C | 30 | mkA | ||
| IGSS | Darvoza qochqin oqimi | VGS = ± 20V, VDS = 0V | ±100 | nA | ||
| VGS(th) | Eshik chegarasi kuchlanishi | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.1 | 1.6 | 2.5 | V |
| RDS(yoqilgan) d | Drenaj manbasi holatidagi qarshilik | VGS = 10V, ID = 10A | 16 | 21 | mŌ | |
| VGS = 4,5V, ID = 5A | 18 | 25 | mŌ | |||
| Darvoza zaryadlovchi | ||||||
| Qg | Darvozaning umumiy to'lovi | VDS=20V,VGS=4,5V, ID=10A | 7.5 | nC | ||
| Qgs | Gate-Source to'lovi | 3.24 | nC | |||
| Qgd | Darvoza-Drenaj zaryadi | 2.75 | nC | |||
| Dinamik | ||||||
| Ciss | Kirish sig'imi | VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz | 815 | pF | ||
| Coss | Chiqish sig'imi | 95 | pF | |||
| Crss | Teskari uzatish sig'imi | 60 | pF | |||
| td (yoqilgan) | Kechikish vaqti | VDD=20V, VGEN=10V, IDS=1A,RG=6Ō,RL=20Ō. | 7.8 | ns | ||
| tr | Yoqish vaqti | 6.9 | ns | |||
| td (yopiq) | O'chirishni kechiktirish vaqti | 22.4 | ns | |||
| tf | O'chirish kuz vaqti | 4.8 | ns | |||
| Diyot | ||||||
| VSDd | Diod oldinga kuchlanish | ISD=1A, VGS=0V | 0,75 | 1.1 | V | |
| trr | Kirish sig'imi | IDS=10A, dlSD/dt=100A/ms | 13 | ns | ||
| Qrr | Chiqish sig'imi | 8.7 | nC | |||
