WSD6040DN56 N-kanal 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

mahsulotlar

WSD6040DN56 N-kanal 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

qisqacha tavsif:

Qism raqami:WSD6040DN56

BVDSS:60V

ID:36A

RDSON:14 mŌ 

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Mahsulot detali

Ilova

Mahsulot teglari

WINSOK MOSFET mahsulotiga umumiy nuqtai

WSD6040DN56 MOSFET kuchlanishi 60V, oqim 36A, qarshilik 14mŌ, kanal N-kanal va paket DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET dastur sohalari

Elektron sigaretalar MOSFET, simsiz zaryadlovchi MOSFET, motorlar MOSFET, dronlar MOSFET, tibbiy yordam MOSFET, avtomobil zaryadlovchilari MOSFET, kontrollerlar MOSFET, raqamli mahsulotlar MOSFET, kichik maishiy texnika MOSFET, maishiy elektronika MOSFET.

WINSOK MOSFET boshqa markali materiallar raqamlariga mos keladi

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS yarimo'tkazgich MOSFET PDC6964.

MOSFET parametrlari

Belgi

Parametr

Reyting

Birliklar

VDS

Drenaj manbai kuchlanishi

60

V

VGS

Darvoza manba kuchlanishi

±20

V

ID

Uzluksiz drenaj oqimi TC=25°C

36

A

TC=100°C

22

ID

Uzluksiz drenaj oqimi TA=25°C

8.4

A

TA=100°C

6.8

IDMa

Impulsli drenaj oqimi TC=25°C

140

A

PD

Maksimal quvvat sarfi TC=25°C

37.8

W

TC=100°C

15.1

PD

Maksimal quvvat sarfi TA=25°C

2.08

W

TA=70°C

1.33

IAS c

Ko'chki oqimi, Yagona puls

L = 0,5 mH

16

A

EASc

Yagona pulsli ko'chki energiyasi

L = 0,5 mH

64

mJ

IS

Diyotning doimiy to'g'ridan-to'g'ri oqimi

TC=25°C

18

A

TJ

Maksimal ulanish harorati

150

TSTG

Saqlash harorati oralig'i

-55 dan 150 gacha

RthJAb

Atrof muhitga issiqlik qarshiligi

Barqaror holat

60

/W

RthJC

Issiqlik qarshiligi - korpusga ulanish

Barqaror holat

3.3

/W

 

Belgi

Parametr

Shartlar

Min.

Tip.

Maks.

Birlik

Statik        

V(BR)DSS

Drenaj manbasining buzilishi kuchlanishi

VGS = 0V, ID = 250mA

60    

V

IDSS

Nolinchi eshik kuchlanishining drenaj oqimi

VDS = 48 V, VGS = 0V

   

1

mkA

 

TJ=85°C

   

30

IGSS

Darvoza qochqin oqimi

VGS = ± 20V, VDS = 0V

    ±100

nA

Xususiyatlari haqida        

VGS(TH)

Eshik chegarasi kuchlanishi

VGS = VDS, IDS = 250µA

1

1.6

2.5

V

RDS(yoqilgan)d

Drenaj manbasi holatidagi qarshilik

VGS = 10V, ID = 25A

  14 17.5

VGS = 4,5V, ID = 20A

  19

22

Oʻtish        

Qg

Darvozaning umumiy to'lovi

VDS=30V

VGS=10V

ID=25A

  42  

nC

Qgs

Gate-Nordon zaryadi  

6.4

 

nC

Qgd

Darvoza-Drenaj zaryadi  

9.6

 

nC

td (yoqilgan)

Kechikish vaqti

VGEN=10V

VDD=30V

ID=1A

RG=6Ō

RL=30Ō

  17  

ns

tr

Yoqish vaqti  

9

 

ns

td (yopiq)

O'chirishni kechiktirish vaqti   58  

ns

tf

O'chirish kuz vaqti   14  

ns

Rg

Gat qarshiligi

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

 

1.5

 

Ō

Dinamik        

Ciss

Kapasitansda

VGS=0V

VDS=30V f=1MHz

 

2100

 

pF

Coss

Chiqib ketish quvvati   140  

pF

Crss

Teskari uzatish sig'imi   100  

pF

Drenaj manbai diodining xususiyatlari va maksimal reytinglari        

IS

Uzluksiz manba oqimi

VG=VD=0V , Kuchli oqim

   

18

A

ISM

Impulsli manba oqimi3    

35

A

VSDd

Diod oldinga kuchlanish

ISD = 20A , VGS=0V

 

0,8

1.3

V

trr

Qayta tiklash vaqti

ISD=25A, dlSD/dt=100A/ms

  27  

ns

Qrr

Qayta tiklash to'lovi   33  

nC


  • Oldingi:
  • Keyingisi:

  • Xabaringizni shu yerga yozing va bizga yuboring