WSD30L88DN56 Ikkita P-kanal -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

qisqa Tasvir:

Model raqami:WSD30L88DN56

BVDSS:30V

RDSON:11,5 mŌ

ID:-49A

Kanal:Ikkita P-kanal

Paket:DFN5 * 6-8

Mahsulot yozi:WSD30L88DN56 MOSFET kuchlanishi -30V, oqim -49A, qarshilik 11,5mŌ, kanal Dual P-kanal va paket DFN5 * 6-8.

Ilovalar:Elektron sigaretalar, simsiz zaryadlash, motorlar, dronlar, tibbiy yordam, avtomobil zaryadlovchi qurilmalari, kontrollerlar, raqamli mahsulotlar, kichik maishiy texnika, maishiy elektronika.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring PDF

Mahsulot detali

Ilova

Mahsulot teglari

Umumiy tavsif

WSD30L88DN56 - bu juda yuqori hujayra zichligiga ega bo'lgan eng yuqori samarali Dual P-Ch MOSFET kanali bo'lib, u ko'pchilik sinxron pul konvertori ilovalari uchun mukammal RDSON va eshik zaryadini ta'minlaydi.WSD30L88DN56 RoHS va Yashil mahsulot talablariga javob beradi, 100% EAS kafolatlangan, to'liq funksiya ishonchliligi tasdiqlangan.

Xususiyatlari

Kengaytirilgan yuqori hujayra zichligi Xandaq texnologiyasi ， Super past darvoza zaryadi ， Zo'r CdV / dt effektining pasayishi ， 100% EAS kafolati ， Yashil qurilma mavjud.

Ilovalar

Yuqori chastotali yuklanish nuqtasi sinxron ， MB/NB/UMPC/VGA uchun pul konvertori， Tarmoqli DC-DC quvvat tizimi， Yuklash kaliti， Elektron sigaretalar, simsiz zaryadlash, motorlar, dronlar, tibbiy yordam, avtomobil zaryadlovchilari, kontrollerlar, raqamli mahsulotlar, kichik maishiy texnika, maishiy elektronika.

tegishli material raqami

AOS

Muhim parametrlar

Belgi	Parametr	Reyting	Birliklar
VDS	Drenaj manbai kuchlanishi	-30	V
VGS	Darvoza manba kuchlanishi	±20	V
ID@TC=25℃	Uzluksiz drenaj oqimi, VGS @ -10V1	-49	A
ID@TC=100℃	Uzluksiz drenaj oqimi, VGS @ -10V1	-23	A
IDM	Impulsli drenaj oqimi2	-120	A
EAS	Yagona impulsli ko‘chki energiyasi3	68	mJ
PD@TC=25℃	Umumiy quvvat sarfi4	40	W
TSTG	Saqlash harorati oralig'i	-55 dan 150 gacha	℃
TJ	Ishlash birlashmasining harorat diapazoni	-55 dan 150 gacha	℃